Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

SSM3J371R,LF
Toshiba
1: S/1.48
624En existencias
3,000Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J371R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J371RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

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624En existencias

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Cinta cortada

S/1.48

S/0.919

S/0.58

S/0.432

Envase tipo carrete

S/0.308

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

55 mOhms

- 8 V, 6 V

300 mV

10.4 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

SSM3J372R,LXHF
Toshiba
1: S/2.26
3,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

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3,413En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.39

S/0.891

S/0.673

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

SSM3J375F,LF
Toshiba
1: S/1.32
7,068En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

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Cinta cortada

S/1.32

S/0.821

S/0.518

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.234

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: S/1.32
8,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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8,407En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.821

S/0.506

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.269

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: S/1.56
5,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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Cinta cortada

S/1.56

S/0.965

S/0.607

S/0.455

Envase tipo carrete

S/0.292

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

SSM3J56ACT,L3F
Toshiba
1: S/1.09
9,961En existencias
10,000Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

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Cinta cortada

S/1.09

S/0.634

S/0.385

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.249

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

4 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba
1: S/2.14
1,260En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J214FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J214FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

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1,260En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/2.14

S/1.32

S/0.845

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.409

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

7.9 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package

SSM6J422TU,LF
Toshiba
1: S/1.95
3,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J422TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J422TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package

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Cinta cortada

S/1.95

S/1.16

S/0.755

S/0.564

Envase tipo carrete

S/0.428

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

42.7 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J502NU,LF
Toshiba
1: S/2.30
111En existencias
12,000Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J502NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J502NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

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111En existencias

12,000Se espera el 18/05/2026

Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.926

S/0.701

Envase tipo carrete

S/0.448

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN6B-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

60.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 W

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm

SSM6J771G,LF
Toshiba
1: S/4.05
1,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J771G,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J771GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm

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1,097En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.969

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WCSP6C-6

P-Channel

2 Channel

20 V

5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM6J801R,LF
Toshiba
1: S/1.71
3,906En existencias
9,000Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J801R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J801RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

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3,906En existencias

9,000Se espera el 4/05/2026

Cinta cortada

S/1.71

S/1.04

S/0.658

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.385

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

32.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

SSM6L61NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
4,607En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

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4,607En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.545

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms, 157 mOhms

- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V

400 mV, 500 mV

3.6 nC, 6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H / U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6N16FUTE85LF
Toshiba
1: S/1.56
5,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N16FUTE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N16FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

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5,895En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.938

S/0.545

S/0.459

Envase tipo carrete

S/0.339

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

5.2 Ohms

- 10 V, 10 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

SSM6N57NU,LF
Toshiba
1: S/2.30
9,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N57NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N57NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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Hoja de datos

9,693En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.919

S/0.708

Envase tipo carrete

S/0.529

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

SSM6P49NU,LF
Toshiba
1: S/2.65
3,370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P49NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P49NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

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Hoja de datos

3,370En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.62

S/1.05

S/0.806

Envase tipo carrete

S/0.599

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

157 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package

SSM6P69NU,LF
Toshiba
1: S/2.61
7,343En existencias
6,000Se espera el 11/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P69NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P69NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

7,343En existencias

6,000Se espera el 11/05/2026

Cinta cortada

S/2.61

S/1.64

S/1.05

S/0.802

Envase tipo carrete

S/0.596

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

157 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V

TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/5.37
1,507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ10S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ10S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V

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Comentarios de Producto

1,507En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/4.28

S/2.98

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

33.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V

TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/6.93
1,851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V

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Comentarios de Producto

1,851En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.63

S/3.13

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

15 A

63 mOhms

36 nC

41 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TJ15S10M3,LQ
Toshiba
1: S/6.31
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15S10M3,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S10M3LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

1,441En existencias

S/6.31

S/3.97

S/2.62

S/2.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

15 A

130 mOhms

- 20 V, 10 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/7.12
291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

291En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.67

S/3.13

S/2.48

Envase tipo carrete

S/1.97

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

20 A

22.2 mOhms

41 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/11.48
573En existencias
2,000Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

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S/11.48

S/6.85

S/5.02

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.74

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1: S/7.01
2,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3LT6L1NQ

Toshiba

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S/7.01

S/4.48

S/2.99

S/2.37

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S/1.93

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ

TPCC8105,L1Q
Toshiba
1: S/4.71
3,141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPCC8105,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPCC8105L1Q

Toshiba

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S/4.71

S/2.95

S/1.95

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.09

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SMD/SMT

TSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

23 A

7.8 mOhms

- 25 V, 20 V

800 mV

76 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPH1R712MD,L1Q
Toshiba
1: S/7.86
1,633En existencias
5,000Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R712MD,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R712MDL1Q

Toshiba

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S/7.86

S/5.06

S/3.41

S/2.71

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S/2.09

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

182 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPN4R712MD,L1Q
Toshiba
1: S/4.79
8,612En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
TPN4R712MD,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN4R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

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S/4.79

S/3.01

S/1.99

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.12

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

P-Channel

1 Channel

20 V

36 A

4.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

65 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W