Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 86

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

TJ90S04M3L,LQ
Toshiba
1: S/12.03
5,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ90S04M3L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

5,908En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.79

S/5.49

S/4.44

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

1 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

TPC8132,LQ(S
Toshiba
1: S/6.58
5,829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8132,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8132LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

Obtenga más información

Hoja de datos

5,829En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.16

S/2.78

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.82

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

33 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

TPCP8107,LF
Toshiba
1: S/4.28
17,172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPCP8107,LF

N.º de artículo de Mouser
757-TPCP8107LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

17,172En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.69

S/1.76

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PS-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

44.6 nC

- 55 C

+ 175 C

2.01 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPH1R712MD,L1Q
Toshiba
1: S/8.45
9,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R712MD,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

Obtenga más información

Hoja de datos

9,521En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.65

S/2.90

Ver

Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

182 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPN4R712MD,L1Q
Toshiba
1: S/5.14
8,197En existencias
15,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPN4R712MD,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN4R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

Obtenga más información

Hoja de datos

8,197En existencias

15,000Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/5.14

S/3.23

S/2.13

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

P-Channel

1 Channel

20 V

36 A

4.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

65 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

SSM3J132TU,LF
Toshiba
1: S/3.00
5,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J132TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J132TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,754En existencias

Cinta cortada

S/3.00

S/1.87

S/1.21

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.685

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5.4 A

14 mOhms

- 6 V, 6 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LF
Toshiba
1: S/3.04
1,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J140TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J140TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,760En existencias

Cinta cortada

S/3.04

S/1.88

S/1.21

S/0.923

Envase tipo carrete

S/0.708

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

25.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

24.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

SSM3J143TU,LF
Toshiba
1: S/2.26
4,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J143TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J143TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,762En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.38

S/0.884

S/0.666

Envase tipo carrete

S/0.506

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

SSM3J331R,LF
Toshiba
1: S/1.44
19,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J331R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J331RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

Obtenga más información

Hoja de datos

19,877En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

150 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

SSM3J353F,LF
Toshiba
1: S/1.63
5,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J353F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J353FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,744En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.00

S/0.631

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.401

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

SSM3J356R,LXHF
Toshiba
1: S/2.53
37En existencias
9,000Se espera el 30/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

37En existencias

9,000Se espera el 30/10/2026

Cinta cortada

S/2.53

S/1.56

S/1.00

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.673

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

360 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

SSM3J372R,LXHF
Toshiba
1: S/2.41
2,736En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,736En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.545

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

SSM3J375F,LXHF
Toshiba
1: S/1.63
4,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,824En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.12

S/0.728

S/0.545

Envase tipo carrete

S/0.397

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: S/1.32
4,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,177En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.821

S/0.518

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

SSM3J377R,LXHF
Toshiba
1: S/1.83
2,568En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,568En existencias

18,000En pedido

Cinta cortada

S/1.83

S/1.11

S/0.708

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.385

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: S/1.56
5,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

5,494En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.965

S/0.607

S/0.455

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

SSM3J66MFV,L3F
Toshiba
1: S/1.28
19,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J66MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J66MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

19,490En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.79

S/0.494

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.195

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

4 Ohms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba
1: S/2.76
13,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J214FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J214FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

13,135En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.70

S/1.09

S/0.817

Envase tipo carrete

S/0.549

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

7.9 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba
1: S/2.10
2,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J215FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J215FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

Obtenga más información

Hoja de datos

2,818En existencias

Cinta cortada

S/2.10

S/1.28

S/0.817

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.393

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.4 A

154 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

SSM6J216FE,LF
Toshiba
1: S/2.49
2,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J216FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J216FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,774En existencias

Cinta cortada

S/2.49

S/1.53

S/0.981

S/0.743

Envase tipo carrete

S/0.483

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4.8 A

26 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J503NU,LF
Toshiba
1: S/2.30
5,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J503NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J503NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

Obtenga más información

Hoja de datos

5,630En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/1.41

S/0.899

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.541

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

89.6 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ

TPCC8105,L1Q
Toshiba
1: S/5.02
2,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPCC8105,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPCC8105L1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

2,456En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

S/2.08

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

23 A

7.8 mOhms

- 25 V, 20 V

800 mV

76 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package

SSM3J135TU,LF
Toshiba
1: S/1.95
4,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J135TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J135TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package

Obtenga más información

Hoja de datos

4,161En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/1.18

S/0.763

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.416

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

103 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A

SSM3J145TU,LF
Toshiba
1: S/2.10
2,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J145TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J145TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,785En existencias

Cinta cortada

S/2.10

S/1.28

S/0.817

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.459

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

103 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3J327R,LF
Toshiba
1: S/1.32
11,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J327R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J327RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

11,517En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.269

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W