Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 34

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.58
21,440En existencias

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SQJ403EP-T1_GE3

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78-SQJ403EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/9.58

S/4.67

S/4.20

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S/2.98

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.38
47,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/9.38

S/4.59

S/4.13

S/3.27

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S/2.90

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30 V

30 A

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2.5 V

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7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
47,849En existencias

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SQJ407EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/8.33

S/4.09

S/3.58

S/2.90

S/2.69

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S/2.42

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PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

30 V

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4.4 mOhms

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2 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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295,656En existencias

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SQ1421EDH-T1_GE3

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78-SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

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S/3.39

S/1.54

S/1.36

S/1.04

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S/0.802

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SOT-363-6

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1 Channel

60 V

1.6 A

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2.5 V

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2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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29,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4153EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/10.04

S/4.94

S/4.44

S/3.53

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S/3.19

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

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12 V

25 A

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900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.50
91,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS481ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS481ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/6.50

S/3.08

S/2.74

S/2.16

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S/1.72

S/1.69

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

150 V

4.7 A

1.095 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
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56,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD19P06-60L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD19P06-60LT4GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

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S/9.11

S/4.44

S/3.97

S/3.16

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S/2.79

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

20 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

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+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.89
76,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.89

S/3.28

S/2.92

S/2.30

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S/1.80

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

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40 V

55 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.84
20,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA37EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA37EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/5.84

S/2.75

S/2.45

S/1.92

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.46

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.90
21,649En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQ3419AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3419AEEV-T1_GE3

Fin de vida útil

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.90

S/2.29

S/2.03

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.36

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.59
5,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS840CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS840CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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5,181En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.13

S/1.88

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.23

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
2,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.79

S/3.73

S/3.34

S/2.64

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ409EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.49
30,128En existencias
24,000Se espera el 2/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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30,128En existencias

24,000Se espera el 2/11/2026

Cinta cortada

S/8.49

S/5.45

S/3.66

S/2.91

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
59,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.33

S/4.05

S/3.60

S/2.86

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.83
306,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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306,379En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.04

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.75
305,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.75

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
122,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ457EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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122,881En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/2.96

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQM40031EL_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.27
10,262En existencias
14,400Se espera el 23/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQM40031EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40031EL_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

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10,262En existencias

14,400Se espera el 23/10/2026

Cinta cortada

S/16.27

S/8.29

S/7.51

S/5.88

Envase tipo carrete

S/5.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

800 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.98
5,616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40081EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40081EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

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Hoja de datos

5,616En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.42

S/2.71

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
24,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40131EL_GE3

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78-SQD40131EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/3.38

S/2.68

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S/2.26

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
6,083En existencias

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SQJ415EP-T1_GE3

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78-SQJ415EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/4.05

S/2.68

S/2.10

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S/1.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

SQM40061EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.70
2,985En existencias
5,600Se espera el 14/09/2026

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SQM40061EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40061EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

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S/10.70

S/6.93

S/4.75

S/3.59

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S/3.35

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4005EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
5,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4005EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4005EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/4.55

S/3.17

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

15 A

13 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ481EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
7,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ481EP-T1_GE3

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78-SQJ481EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM100P10-19L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.65
3,773En existencias
8,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQM100P10-19L_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM100P10-19L_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/10.00

S/9.03

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

93 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

350 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms
55 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC