Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 34

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
298,591En existencias

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SQ1421EDH-T1_GE3

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78-SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

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S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

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SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.50
21,567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ403EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/9.50

S/5.76

S/3.93

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.98

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.75
409,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/4.75

S/2.91

S/1.92

S/1.51

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S/1.17

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5.3 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.16
30,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4153EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/10.16

S/6.03

S/4.13

S/3.30

Envase tipo carrete

S/3.19

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

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- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.32
115,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS481ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS481ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/7.32

S/3.84

S/2.57

S/2.01

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.69

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

150 V

4.7 A

1.095 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.61
56,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD19P06-60L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD19P06-60LT4GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

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S/9.61

S/5.45

S/3.70

S/2.95

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S/2.79

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

20 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.00
50,104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/10.00

S/5.64

S/3.82

S/3.05

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S/2.90

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SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

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+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.71
49,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ407EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ407EP-T1_GE3

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S/7.71

S/5.06

S/3.41

S/2.71

S/2.55

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S/2.42

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

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30 V

60 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ433EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.21
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ433EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/8.21

S/4.87

S/3.27

S/2.60

S/2.43

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S/2.30

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

75 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.06
21,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA37EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA37EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

S/5.06

S/3.39

S/2.29

S/1.79

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.46

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.59
23,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3419AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.59

S/2.88

S/1.90

S/1.48

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S/1.28

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.64
2,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.64

S/4.63

S/3.12

S/2.47

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.16

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.89
31,865En existencias
75,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ479EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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31,865En existencias

75,000En pedido

Cinta cortada

S/6.89

S/4.40

S/2.94

S/2.32

Envase tipo carrete

S/2.12

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.33
341,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/5.33

S/3.30

S/2.18

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.32

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.46
81,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.73

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.83

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.61
37,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM120P10_10M1LGE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P1010M1LGE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

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37,764En existencias

Cinta cortada

S/18.61

S/12.34

S/8.80

S/7.71

Envase tipo carrete

S/7.71

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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

120 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQM40031EL_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.78
11,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40031EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40031EL_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

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11,605En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/9.15

S/6.85

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

800 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.36
3,478En existencias
28,000Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQD40131EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40131EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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3,478En existencias

28,000Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/7.36

S/5.53

S/3.63

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.39

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.96
3,733En existencias
6,000Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ415EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ415EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

3,733En existencias

6,000Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/5.96

S/3.76

S/2.50

S/1.97

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
10,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T1_GE3

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78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/2.38

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3419EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.75
12,106En existencias

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SQ3419EV-T1_GE3

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78-SQ3419EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/2.91

S/1.92

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4005EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.70
7,290En existencias

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SQ4005EY-T1_GE3

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78-SQ4005EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/6.70

S/4.24

S/2.84

S/2.24

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S/2.04

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

15 A

13 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ481EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.96
10,165En existencias

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SQJ481EP-T1_GE3

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78-SQJ481EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/5.96

S/3.76

S/2.50

S/1.97

S/1.79

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S/1.63

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60V Automotive MOSFET

SQM110P06-8M9L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.39
6,406En existencias
4,800Se espera el 29/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQM110P06-8M9L_GE3

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78-SQM110P06-8M9LGE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60V Automotive MOSFET

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S/16.39

S/10.82

S/8.91

S/7.90

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S/6.93

S/6.58

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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

110 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

SQM40061EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.09
4,737En existencias

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SQM40061EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40061EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

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S/11.09

S/7.08

S/4.90

S/4.16

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S/3.93

S/3.30

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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms
55 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC