Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
STFW40N60M2
STMicroelectronics
1:
S/22.50
425 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW40N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
425 En existencias
1
S/22.50
10
S/14.32
100
S/11.95
600
S/11.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
600 V
34 A
78 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
57 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
STFW69N65M5
STMicroelectronics
1:
S/56.67
338 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW69N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
338 En existencias
1
S/56.67
10
S/36.47
100
S/34.22
600
S/31.10
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
650 V
58 A
45 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
143 nC
- 55 C
+ 150 C
79 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
STFW38N65M5
STMicroelectronics
1:
S/24.72
137 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
137 En existencias
1
S/24.72
10
S/18.96
100
S/13.51
600
S/12.07
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
95 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
71 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
STFW8N120K5
STMicroelectronics
1:
S/28.38
139 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW8N120K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
139 En existencias
1
S/28.38
10
S/20.98
100
S/14.75
600
S/13.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13.7 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
STFW12N120K5
STMicroelectronics
1:
S/45.39
100 Se espera el 25/03/2026
N.º de artículo de Mouser 511-STFW12N120K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
100 Se espera el 25/03/2026
1
S/45.39
10
S/31.88
100
S/25.42
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
12 A
620 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
44.2 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
STFW42N60M2-EP
STMicroelectronics
300:
S/27.17
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser 511-STFW42N60M2-EP
Verificar estado con la fábrica
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Min.: 300 Mult.: 300
Detalles
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
600 V
34 A
87 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Perú
