Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IPU95R3K7P7AKMA1

Name: Infineon IPU95R3K7P7AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPU95R3K7P7AKMA1
Price: 5.33 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-IPU95R3K7P7AKMA1

Fabricante N.º:

IPU95R3K7P7AKMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IPU95R3K7P7AKMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IPU95R3K7P7AKMA1

En existencias: 2,153

Existencias:: 2,153 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/5.33	S/5.33
	S/3.37	S/33.70
	S/2.23	S/223.00
	S/1.83	S/915.00
	S/1.58	S/1,580.00
	S/1.45	S/2,175.00
	S/1.31	S/5,895.00
	S/1.25	S/13,125.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-251-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	950 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	22 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	23 ns
Serie:	P7
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	46 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7ns
Alias de las piezas n.º:	IPU95R3K7P7 SP001792320
Peso de la unidad:	387.110 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IPU95R3K7P7AKMA1 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

MOSFET CoolMOS P7 950V (PDF)

Product Catalogs

Technical Resources

MOSFET 950V CoolMOS P7 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.