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Transistores de RF

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Tipo de transistor	Tecnología	Frecuencia de trabajo	Potencia de salida	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Ganancia	Empaquetado
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD55025-E STMicroelectronics 1: S/ 129.27 45En existencias 400Se espera el 11/12/2026	N.º de artículo del Fabricante PD55025-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55025-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	Hoja de datos	45En existencias 400Se espera el 11/12/2026	S/ 129.27 S/ 95.76 S/ 89.26 S/ 84.82	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	25 W	- 65 C	+ 150 C	14.5 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor PD55025S-E STMicroelectronics 1: S/ 124.13 50En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD55025S-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55025S-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor	Hoja de datos	50En existencias	S/ 124.13 S/ 91.01 S/ 86.69 S/ 82.33	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	25 W	- 65 C	+ 150 C	14.5 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp SD57045 STMicroelectronics 1: S/ 400.97 5En existencias	N.º de artículo del Fabricante SD57045 N.º de artículo de Mouser 511-SD57045	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp	Hoja de datos	5En existencias	S/ 400.97 S/ 333.16 S/ 307.78	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	M243	LDMOS FET	Si	1 GHz	45 W	- 65 C	+ 150 C	13 dB	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor PD57018-E STMicroelectronics 1: S/ 121.41 1,592En pedido	N.º de artículo del Fabricante PD57018-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57018-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor	Hoja de datos	1,592En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: PD57018-E Existencias: 0 En pedido: 792 Se espera el 15/01/2027 800 Se espera el 20/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	S/ 121.41 S/ 88.90 S/ 84.58	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	18 W	- 65 C	+ 150 C	16.5 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz SD2933W STMicroelectronics 1: S/ 543.67 1,050Se espera el 9/04/2027	N.º de artículo del Fabricante SD2933W N.º de artículo de Mouser 511-SD2933W	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz	Hoja de datos	1,050Se espera el 9/04/2027	S/ 543.67 S/ 423.08	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs				Si						Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. PD55008TR-E STMicroelectronics 1: S/ 62.20 500Se espera el 8/01/2027	N.º de artículo del Fabricante PD55008TR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55008TR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.	Hoja de datos	500Se espera el 8/01/2027	Cinta cortada S/ 62.20 S/ 45.97 S/ 41.81 Envase tipo carrete S/ 39.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	8 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz SD2943W STMicroelectronics 1: S/ 649.54 50Se espera el 5/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SD2943W N.º de artículo de Mouser 511-SD2943W	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz	Hoja de datos	50Se espera el 5/11/2026	S/ 649.54 S/ 497.38	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs				Si						Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST PD54008TR-E STMicroelectronics 600: S/ 38.89 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD54008TR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD54008TR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Envase tipo carrete S/ 38.89 S/ 36.98	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	8 W	- 65 C	+ 150 C	11.5 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. PD55003S-E STMicroelectronics 1: S/ 44.18 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD55003S-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55003S-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	S/ 44.18 S/ 30.75 S/ 28.34 S/ 27.95	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	3 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. PD55015STR-E STMicroelectronics 600: S/ 40.75 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD55015STR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55015STR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Envase tipo carrete S/ 40.75 Presupuesto Presupuesto	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	15 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel PD55025TR-E STMicroelectronics 600: S/ 85.56 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD55025TR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55025TR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Envase tipo carrete S/ 85.56	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-2	LDMOS FET	Si	500 MHz	25 W		+ 165 C	14.5 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. PD57018STR-E STMicroelectronics 600: S/ 88.32 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD57018STR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57018STR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Envase tipo carrete S/ 88.32 Presupuesto Presupuesto	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	18 W	- 65 C	+ 150 C	16.5 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. PD57018TR-E STMicroelectronics 600: S/ 87.50 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD57018TR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57018TR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Envase tipo carrete S/ 87.50	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	18 W	- 65 C	+ 150 C	16.5 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. PD57030S-E STMicroelectronics 400: S/ 140.60 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD57030S-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57030S-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	S/ 140.60	Min.: 400 Mult.: 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	30 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD57045-E STMicroelectronics 400: S/ 170.65 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD57045-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57045-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	S/ 170.65	Min.: 400 Mult.: 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	45 W	- 65 C	+ 150 C	13 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060S-E STMicroelectronics 400: S/ 184.27 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD57060S-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57060S-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	S/ 184.27	Min.: 400 Mult.: 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	60 W	- 65 C	+ 150 C	14.3 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060TR-E STMicroelectronics 600: S/ 184.27 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD57060TR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57060TR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Envase tipo carrete S/ 184.27	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	60 W	- 65 C	+ 150 C	14.3 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans PD85035S-E STMicroelectronics 400: S/ 81.94 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD85035S-E N.º de artículo de Mouser 511-PD85035S-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	S/ 81.94 Presupuesto Presupuesto	Min.: 400 Mult.: 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	35 W	- 65 C	+ 150 C	14.9 dB	Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans PD85035STR-E STMicroelectronics 600: S/ 88.90 Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PD85035STR-E N.º de artículo de Mouser 511-PD85035STR-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Envase tipo carrete S/ 88.90	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Si	1 GHz	35 W	- 65 C	+ 150 C	14.9 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor RF2L15200CB4 STMicroelectronics 100: S/ 606.41 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante RF2L15200CB4 N.º de artículo de Mouser 511-RF2L15200CB4	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/ 606.41	Min.: 100 Mult.: 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	LBB-5	LDMOS FET	Si	860 MHz	200 W		+ 200 C	17.5 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor RF2L16180CF2 STMicroelectronics 120: S/ 471.65 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante RF2L16180CF2 N.º de artículo de Mouser 511-RF2L16180CF2	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/ 471.65	Min.: 120 Mult.: 120 : 120	RF MOSFETs	SMD/SMT	B2-3	LDMOS FET	Si	1.47 GHz	180 W		+ 200 C	17.5 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor RF2L27015CG2 STMicroelectronics 300: S/ 134.76 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante RF2L27015CG2 N.º de artículo de Mouser 511-RF2L27015CG2	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/ 134.76	Min.: 300 Mult.: 300 : 300	RF MOSFETs	SMD/SMT	E2-3	LDMOS FET	Si	2.7 GHz	15 W		+ 200 C	19 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor RF2L27025CG2 STMicroelectronics 300: S/ 145.07 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante RF2L27025CG2 N.º de artículo de Mouser 511-RF2L27025CG2	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/ 145.07	Min.: 300 Mult.: 300 : 300	RF MOSFETs	SMD/SMT	E2-3	LDMOS FET	Si	2.7 GHz	25 W		+ 200 C	18 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor RF2L36040CF2 STMicroelectronics 160: S/ 235.81 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante RF2L36040CF2 N.º de artículo de Mouser 511-RF2L36040CF2	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/ 235.81	Min.: 160 Mult.: 160 : 160	RF MOSFETs	SMD/SMT	A2-3	LDMOS FET	Si	3.6 GHz	40 W		+ 200 C	14 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor RF3L05150CB4 STMicroelectronics 1: S/ 786.99 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante RF3L05150CB4 N.º de artículo de Mouser 511-RF3L05150CB4	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm rf3l05150cb4 transistors	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada S/ 786.99 S/ 614.31 Envase tipo carrete S/ 614.31	Min.: 1 Mult.: 1 : 100	RF MOSFETs	Through Hole	LBB-4	LDMOS FET	Si	945 MHz	150 W		+ 200 C	16 dB	Reel, Cut Tape