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23 A Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D

BUK7K15-80EX
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BUK7K15-80EX

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771-BUK7K15-80EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D

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S/3.93

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SMD/SMT

SOIC-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/29.23
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R6055VNXC7G

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755-R6055VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

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S/29.23

S/19.89

S/18.18

S/17.67

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MOSFETs

Through Hole

TO-220FM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: S/21.37
1,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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S/21.37

S/14.01

S/10.43

S/8.76

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S/8.10

S/7.59

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 23A N-CH MOSFET

IRFP254PBF
Vishay Semiconductors
1: S/18.29
6,884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP254PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFP254PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 23A N-CH MOSFET

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S/11.56

S/10.00

S/8.76

S/8.33

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCPF220N80
onsemi
1: S/29.19
715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF220N80

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512-FCPF220N80

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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S/14.44

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG23N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/24.64
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG23N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG23N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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S/24.64

S/16.15

S/11.91

S/10.59

S/9.50

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/38.57
567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

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S/38.57

S/27.60

S/25.03

S/24.99

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Through Hole

TO-3PF-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

STP28NM60ND
STMicroelectronics
1: S/27.21
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

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S/27.21

S/15.10

S/13.00

S/11.68

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K20-80E/SOT1205/LFPAK56D

BUK9K20-80EX
Nexperia
1: S/9.46
3,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9K20-80EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9K20-80EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K20-80E/SOT1205/LFPAK56D

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S/6.07

S/4.13

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Envase tipo carrete

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: 1,500

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SMD/SMT

LFPAK-56D-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive

FCP165N60E
onsemi
1: S/16.82
3,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP165N60E

N.º de artículo de Mouser
512-FCP165N60E

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive

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S/16.82

S/11.60

S/9.38

S/8.25

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB23N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.24
1,429En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB23N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB23N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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1,429En existencias

S/20.24

S/10.51

S/9.58

S/7.98

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
9,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31L-T4-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD23N06-31L-T4E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

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S/6.27

S/2.97

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.64

S/1.60

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM

EFC6612R-TF
onsemi
1: S/6.34
4,849En existencias

N.º de artículo del Fabricante
EFC6612R-TF

N.º de artículo de Mouser
863-EFC6612R-TF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM

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S/6.34

S/4.01

S/2.67

S/2.09

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S/1.54

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: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

CSP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 9.1A

SUD23N06-31L-T4BE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
24,522En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31L-T4BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD23N0631L-T4BE3

Fin de vida útil

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 9.1A

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24,522En existencias

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S/6.81

S/4.75

S/3.13

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.66

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/44.34
2,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH24N65EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH24N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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2,893En existencias

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S/44.34

S/40.29

S/17.52

Envase tipo carrete

S/17.52

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L

SCT3105KW7TL
ROHM Semiconductor
1: S/53.33
766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KW7TL

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KW7TL

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L

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766En existencias

Cinta cortada

S/53.33

S/42.93

S/39.86

S/37.80

Envase tipo carrete

S/35.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHF23N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.19
912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF23N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF23N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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S/19.19

S/12.57

S/9.38

S/7.86

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

SIHH125N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.96
2,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH125N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH125N60EFT1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/28.96

S/15.53

S/14.25

S/13.58

S/12.85

Envase tipo carrete

S/12.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 125A

CMS23N06H8-HF
Comchip Technology
1: S/12.07
4,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CMS23N06H8-HF

N.º de artículo de Mouser
750-CMS23N06H8-HF

Comchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 125A

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4,978En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.44

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

PDFN5x6-8L

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GENERIC, jellybean, P-CHANNEL, MOSFET, transistor, TO-220

108790
Soldered
1: S/3.97
76En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
108790

N.º de artículo de Mouser
392-108790

Nuevo producto

Soldered

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GENERIC, jellybean, P-CHANNEL, MOSFET, transistor, TO-220

Hoja de datos

76En existencias

S/3.97

S/3.73

S/3.53

S/3.37

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW60R120CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.68
998En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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998En existencias

S/18.68

S/10.39

S/8.56

S/8.10

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

PG-TO247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KC6TB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.46
4,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HP8KC6TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8KC6TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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4,580En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.93

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

HSOP-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN

EFC3J018NUZTDG
onsemi
1: S/6.62
95,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
EFC3J018NUZTDG

N.º de artículo de Mouser
863-EFC3J018NUZTDG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN

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95,026En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

WLCSP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.85
3,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ956EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ956EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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3,470En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.92

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

SQD23N06-31L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.93
3,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD23N06-31L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQD23N06-31L_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

3,999En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.38

S/4.36

S/3.48

S/3.20

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

23 A Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CSP-6
D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3
DFN-5
DirectFET-MT
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)
HSOF-8
HSON-8
HSOP-8
LFPAK-56D-8
PDFN5x6-8L
PDFN-8
PG-TO247-3
PowerDI3333-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 8 x 8
PowerPAK-8x8-4
PowerPAK-SO-8-4
PowerPAK-SO-8L-4