Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
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FQD13N10LTM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
IXFA10N80P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
IXTT10N100D2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STD12N60DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RD3P01BATTL1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMP390N65EC_T0_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60DM6
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
STF13N95K3
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
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DMP2022LSS-13
Diodes Incorporated
1:
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET
RRH100P03TB1
ROHM Semiconductor
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755-RRH100P03TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
IRF740ASPBF
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
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S/4.52
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S/4.32
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
STP10NK60Z
STMicroelectronics
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511-STP10NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
3,042 En existencias
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S/17.01
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S/6.73
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S/6.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
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FQD13N10TM
onsemi
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4,638 En existencias
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512-FQD13N10TM
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
4,638 En existencias
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S/5.76
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S/2.70
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S/2.40
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S/2.40
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
IPL65R230C7
Infineon Technologies
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726-IPL65R230C7
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
6,349 En existencias
1
S/13.55
10
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S/5.96
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S/5.06
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S/4.83
3,000
S/4.75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
RD3P100SNFRATL
ROHM Semiconductor
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2,574 En existencias
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755-RD3P100SNFRATL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
2,574 En existencias
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S/9.03
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S/3.87
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S/3.13
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S/2.67
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S/2.95
5,000
S/2.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
SQD10N30-330H_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.11
11,861 En existencias
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78-SQD10N30-330H_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
11,861 En existencias
1
S/9.11
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S/2.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1:
S/9.30
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
603-XP65SL380DH
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
3,000 En existencias
1
S/9.30
10
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S/3.23
1,000
S/3.07
3,000
S/2.76
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD13N65M2
STMicroelectronics
1:
S/9.07
3,053 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD13N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
3,053 En existencias
1
S/9.07
10
S/4.59
100
S/3.87
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S/3.14
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S/2.71
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S/2.81
5,000
S/2.53
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET
R6018VNXC7G
ROHM Semiconductor
1:
S/13.20
1,950 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-R6018VNXC7G
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET
1,950 En existencias
1
S/13.20
10
S/10.78
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S/8.91
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S/7.47
1,000
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S/6.73
2,000
S/6.54
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 10A TO-252 (DPAK)
RD3P100SNTL1
ROHM Semiconductor
1:
S/8.29
4,430 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RD3P100SNTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 10A TO-252 (DPAK)
4,430 En existencias
1
S/8.29
10
S/4.16
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S/3.43
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S/2.86
2,500
S/2.31
5,000
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S/2.64
5,000
S/2.30
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Min.: 1
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Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 30V 10A
RXH100N03TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/8.33
3,829 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RXH100N03TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 30V 10A
3,829 En existencias
1
S/8.33
10
S/5.33
100
S/3.59
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S/2.85
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S/2.43
5,000
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S/2.61
5,000
S/2.33
10,000
S/2.12
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
IRF740PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1:
S/10.74
4,562 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-IRF740PBF-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
4,562 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.74
10
S/5.84
100
S/4.83
500
S/4.13
1,000
S/3.62
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET
DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated
1:
S/5.22
5,636 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET
5,636 En existencias
1
S/5.22
10
S/3.29
100
S/2.17
500
S/1.69
3,000
S/1.27
6,000
Ver
1,000
S/1.53
6,000
S/1.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM DPAK
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NTD360N65S3H
onsemi
1:
S/13.39
5,467 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTD360N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM DPAK
5,467 En existencias
1
S/13.39
10
S/6.93
100
S/5.92
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S/4.90
1,000
S/4.71
2,500
S/4.71
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Carrete :
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
STD80N450K6
STMicroelectronics
1:
S/17.20
800 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N450K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
800 En existencias
1
S/17.20
10
S/8.80
100
S/7.98
500
S/6.77
2,500
S/6.34
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Mult.: 1
Carrete :
2,500
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