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IXYS Semiconductores

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N.° de pieza

IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

IXGH20N120A3
IXYS
1: S/39.20
303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH20N120A3

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH20N120A3

IXYS

IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

Hoja de datos

303En existencias

S/39.20

S/23.08

S/19.54

S/19.42

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

IXTH120N20X4
IXYS
1: S/50.99
1,197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH120N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH120N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

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1,197En existencias

S/50.99

S/28.30

S/26.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTH180N10T
IXYS
1: S/40.05
1,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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1,295En existencias

S/40.05

S/23.39

S/20.82

S/19.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds

IXTH48P20P
IXYS
1: S/56.71
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH48P20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH48P20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds

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640En existencias

S/56.71

S/37.45

S/34.29

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTK102N65X2
IXYS
1: S/95.21
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

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238En existencias

S/95.21

S/61.77

S/60.49

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds

IXTP36N30P
IXYS
1: S/25.65
4,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP36N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP36N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds

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4,046En existencias

S/25.65

S/14.29

S/12.92

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTX120N65X2
IXYS
1: S/114.36
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

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S/114.36

S/76.29

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTX120P20T
IXYS
1: S/142.08
354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX120P20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX120P20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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354En existencias

S/142.08

S/100.19

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds

IXTY02N50D
IXYS
1: S/14.09
3,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY02N50D

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY02N50D

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds

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S/14.09

S/6.73

S/5.76

S/4.87

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT

IXYH30N120C3
IXYS
1: S/18.88
437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH30N120C3

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH30N120C3

IXYS

IGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT

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437En existencias

S/18.88

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Mult.: 1

SCR Phase Control Thyristor

N1718NC180
IXYS
1: S/1,114.31
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
N1718NC180

N.º de artículo de Mouser
747-N1718NC180

IXYS

SCR Phase Control Thyristor

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30En existencias

S/1,114.31

S/798.82

Min.: 1
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Rectificadores 120 Amps 400V

DSEI2X61-04C
IXYS
1: S/141.61
85En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSEI2X61-04C

N.º de artículo de Mouser
747-DSEI2X61-04C

IXYS

Rectificadores 120 Amps 400V

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85En existencias

S/141.61

S/105.76

S/99.03

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores 1000V 30A

DSEI30-10A
IXYS
1: S/25.42
1,729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSEI30-10A

N.º de artículo de Mouser
747-DSEI30-10A

IXYS

Rectificadores 1000V 30A

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1,729En existencias

S/25.42

S/15.26

S/14.01

S/13.12

S/13.00

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores 600V 2X60A

DSEP2X61-06A
IXYS
1: S/137.52
209En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSEP2X61-06A

N.º de artículo de Mouser
747-DSEP2X61-06A

IXYS

Rectificadores 600V 2X60A

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209En existencias

S/137.52

S/120.36

S/115.80

Min.: 1
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Rectificadores 45 Amps 1600V

DSP45-16AR
IXYS
1: S/50.99
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSP45-16AR

N.º de artículo de Mouser
747-DSP45-16AR

IXYS

Rectificadores 45 Amps 1600V

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212En existencias

S/50.99

S/37.72

S/35.11

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Rectificadores

F0800LC180
IXYS
1: S/951.99
41En existencias

N.º de artículo del Fabricante
F0800LC180

N.º de artículo de Mouser
747-F0800LC180

IXYS

Rectificadores

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41En existencias

S/951.99

S/682.43

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A

IXBX75N170
IXYS
1: S/313.15
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBX75N170

N.º de artículo de Mouser
747-IXBX75N170

IXYS

IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A

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310En existencias

S/313.15

S/267.77

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
1: S/50.68
287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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287En existencias

S/50.68

S/28.10

S/26.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFH6N120P
IXYS
1: S/56.91
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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187En existencias

S/56.91

S/34.60

S/31.22

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

IXFH74N20P
IXYS
1: S/34.41
528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH74N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH74N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

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528En existencias

S/34.41

S/22.93

S/20.32

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

IXFH90N65X3
IXYS
1: S/85.60
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH90N65X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH90N65X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

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422En existencias

S/85.60

S/52.12

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFH94N30P3
IXYS
1: S/65.82
276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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276En existencias

S/65.82

S/40.52

S/37.68

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

IXFK26N120P
IXYS
1: S/172.48
246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK26N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK26N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

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246En existencias

S/172.48

S/127.52

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

IXFK32N100P
IXYS
1: S/118.41
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

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295En existencias

S/118.41

S/79.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

IXFK64N50P
IXYS
1: S/86.72
367En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK64N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

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367En existencias

S/86.72

S/58.66

S/51.65

S/51.61

Min.: 1
Mult.: 1

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