Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4
CEL
1:
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551-CE3514M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
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GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
12.2 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4
CEL
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RF JFET Transistors
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20 GHz
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CEL CE3520K3
CE3520K3
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GaAs
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CE3514M4-C2
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SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
12.2 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1
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24 GHz
- 55 C
+ 125 C
13.8 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4
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551-CE7613M4
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
Si
12 GHz
- 55 C
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14.1 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4-C2
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551-CE7613M4-C2
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
Si
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
14.1 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2
CEL
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551-CE3512K2
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
MICRO-X-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
13.7 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1
CEL
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551-CE3512K2-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
MICRO-X-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
13.7 dB
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
NESG270034-EV09-AZ
CEL
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NESG270034-EV09-AZ
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RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
Bipolar
SiGe
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
CEL
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S/ 3.89
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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551-CE3521M4-C2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
20 GHz
- 55 C
+ 125 C
11.9 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
NE5550979A-EV04-A
CEL
1:
S/ 690.49
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551-NE5550979A-EV04A
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RF MOSFETs
Si
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7530K2-C1
CE7530K2-C1
CEL
10,000:
S/ 11.13
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
551-CE7530K2-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Detalles
RF JFET Transistors
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7531K3-C1
CE7531K3-C1
CEL
10,000:
S/ 11.13
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N.º de artículo de Mouser
551-CE7531K3-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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RF JFET Transistors
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
CEL NESG2030M04-EVNF19
NESG2030M04-EVNF19
CEL
Disponibilidad restringida
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NESG2030M04-EVNF19
CEL
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
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RF Bipolar Transistors
Bipolar
SiGe
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
CEL NESG2030M04-EVNF24
NESG2030M04-EVNF24
CEL
Disponibilidad restringida
N.º de artículo de Mouser
NESG2030M04-EVNF24
CEL
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
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No
RF Bipolar Transistors
Bipolar
SiGe