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2.1 V Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB029N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.65
1,545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1,545En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/6.85

S/5.57

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

DN2625DK6-G
Microchip Technology
1: S/12.26
20,602En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2625DK6-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

Hoja de datos

20,602En existencias

S/12.26

S/11.41

S/10.74

S/9.81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD029N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.38
3,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD029N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD029N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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3,047En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/5.96

S/4.01

S/3.25

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.75
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

782En existencias

Cinta cortada

S/27.75

S/12.49

S/10.55

Envase tipo carrete

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
3,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD038N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD038N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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3,420En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.28

S/4.94

S/4.20

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: S/12.07
13,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13,292En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.79

S/5.33

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN029-100HLX
Nexperia
1: S/10.32
3,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN029-100HLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN029-100HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D

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3,550En existencias

Cinta cortada

S/10.32

S/6.19

S/4.16

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
31,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD380P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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31,272En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/5.99

S/4.32

S/3.56

S/3.27

Envase tipo carrete

S/3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06N
Infineon Technologies
1: S/17.79
1,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

Hoja de datos

1,038En existencias

Cinta cortada

S/17.79

S/11.68

S/8.68

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.83
1,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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1,560En existencias

Cinta cortada

S/17.83

S/11.68

S/8.72

S/7.32

Envase tipo carrete

S/5.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.29
1,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

S/21.29

S/14.17

S/10.12

S/8.99

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A

SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.98
5,903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA20BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A

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5,903En existencias

Cinta cortada

S/10.98

S/7.08

S/4.87

S/3.93

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K

DMP68D1LV-7
Diodes Incorporated
1: S/2.69
3,323En existencias
3,000Se espera el 19/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMP68D1LV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP68D1LV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K

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Hoja de datos

3,323En existencias

3,000Se espera el 19/07/2027

Cinta cortada

S/2.69

S/1.87

S/1.18

S/0.732

Envase tipo carrete

S/0.479

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF

NVTFWS005N08XLTAG
onsemi
1: S/9.03
923En existencias
4,500Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS005N08XLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS005N08XLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF

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923En existencias

4,500Se espera el 11/12/2026

Cinta cortada

S/9.03

S/5.72

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN013-60HLX
Nexperia
1: S/8.80
1,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN013-60HLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN013-60HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D

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Hoja de datos

1,460En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.61

S/4.67

S/3.75

Envase tipo carrete

S/2.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

BSP149H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/6.34
2,911En existencias
44,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP149H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP149H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

Hoja de datos

2,911En existencias

44,000En pedido

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.71

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06N
Infineon Technologies
1: S/30.83
2,557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

Obtenga más información

Hoja de datos

2,557En existencias

Cinta cortada

S/30.83

S/20.63

S/16.58

S/14.75

Envase tipo carrete

S/13.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK

BUK9Y8R8-60ELX
Nexperia
1: S/9.50
7,192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y8R8-60ELX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y8R8-60ELX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK

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Hoja de datos

7,192En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.03

S/4.09

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC066N06NS
Infineon Technologies
1: S/8.06
9,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC066N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

9,299En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.06

S/3.32

S/2.64

Ver

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN033-100HLX
Nexperia
1: S/10.47
2,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN033-100HLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN033-100HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D

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Hoja de datos

2,679En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.77

S/4.71

S/3.78

Envase tipo carrete

S/2.67

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
3,646En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

3,646En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.74

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

DMP3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.47
8,651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3008SFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3008SFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

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Hoja de datos

8,651En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/4.20

S/3.01

S/2.52

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

SISF00DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.50
15,054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISF00DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF00DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

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Hoja de datos

15,054En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.16

S/3.31

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M12-60E/SOT1210/mLFPAK

BUK9M12-60EX
Nexperia
1: S/5.61
12,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9M12-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9M12-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M12-60E/SOT1210/mLFPAK

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12,000En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.51

S/2.33

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
1: S/60.49
260En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

260En existencias

S/60.49

S/46.09

S/36.43

S/34.18

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

2.1 V Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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