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N-Channel Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,388En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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7,388En existencias

5,000Se espera el 8/10/2026

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S/9.23

S/5.84

S/3.97

S/3.19

Envase tipo carrete

S/2.53

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
3,191En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N08NM8SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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Cinta cortada

S/28.22

S/17.71

S/15.14

S/13.47

S/13.00

Envase tipo carrete

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: S/298.91
33En existencias
61En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCTHC250N120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTHC250N120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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33En existencias

61En pedido

S/298.91

S/236.94

S/202.18

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1: S/14.79
2,508En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R408RH,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R408RHLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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2,508En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/8.64

S/6.77

S/5.68

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
3,518En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N010GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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S/8.87

S/5.64

S/3.78

S/3.07

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Envase tipo carrete

S/2.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
1,906En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ858AEP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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1,906En existencias

S/7.16

S/4.44

S/2.91

S/2.28

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.95
690En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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690En existencias

S/14.95

S/9.77

S/7.12

S/5.96

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

NVMFD5877NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/7.16
945En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5877NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FD5877NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

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945En existencias

1,500Se espera el 29/12/2026

Cinta cortada

S/7.16

S/4.48

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 245

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.16
828En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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828En existencias

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S/10.16

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 83

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ138EP-T1_NE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.01
1,925En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ138EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ138EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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1,925En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.52

S/3.24

S/2.80

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
352En existencias
10,000Se espera el 25/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC024N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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352En existencias

10,000Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/12.53

S/8.10

S/5.61

S/4.52

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI7804BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.01
5,940En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI7804BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7804BDN-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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5,940En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.76

S/1.75

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.689

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
4,930En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQ4940CEY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4940CEY-T1_BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

4,930En existencias

S/5.14

S/3.16

S/2.07

S/1.63

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Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

MSCSM120XM31RTBL3NG
Microchip Technology
1: S/1,161.44
3En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MSCSM120XM31RTBL3NG

N.º de artículo de Mouser
579-SM120XM31RTBL3NG

Nuevo producto

Microchip Technology

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

Hoja de datos

3En existencias

S/1,161.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

FDMS8622-NC
onsemi
1: S/7.63
2,065En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
FDMS8622-NC

N.º de artículo de Mouser
863-FDMS8622-NC

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

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2,065En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/3.59

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.16

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 207

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: S/29.62
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS15M2R5S1T-100B

N.º de artículo de Mouser
25-IS15M2R5S1T-100B

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

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50En existencias

S/29.62

S/21.21

S/17.44

S/14.40

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
10,910En existencias
10,000Se espera el 12/11/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IQDH45N04LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH45N04LM6CGSC

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Hoja de datos

10,910En existencias

10,000Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

S/21.18

S/13.90

S/10.35

S/8.68

S/8.21

Envase tipo carrete

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

NTBG014N120M3P
onsemi
1: S/123.39
867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG014N120M3P

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG014N120M3P

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

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Hoja de datos

867En existencias

Cinta cortada

S/123.39

S/88.63

S/83.92

Envase tipo carrete

S/83.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
5,238En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S7L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

5,238En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

TPM1R006PL,LQ
Toshiba
1: S/14.95
4,150En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R006PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R006PLLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

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Hoja de datos

4,150En existencias

Cinta cortada

S/14.95

S/8.72

S/6.85

S/5.72

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

NTHL023N065M3S
onsemi
1: S/48.50
3,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL023N065M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL023N065M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

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Hoja de datos

3,444En existencias

S/48.50

S/34.10

S/24.48

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

NTH4L020N090SC1
onsemi
1: S/106.27
2,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

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Hoja de datos

2,234En existencias

S/106.27

S/78.94

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
13,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

13,803En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/9.65

S/8.68

S/7.55

Ver

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD13N10LTM
onsemi
1: S/5.02
225,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD13N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD13N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

225,562En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/2.34

S/2.07

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240

: 2,500

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCh RF Transistor

MMBF5485
onsemi
1: S/1.87
389,851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MMBF5485

N.º de artículo de Mouser
512-MMBF5485

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCh RF Transistor

Hoja de datos

389,851En existencias

Cinta cortada

S/1.87

S/1.14

S/0.724

S/0.541

S/0.483

Envase tipo carrete

S/0.378

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

N-Channel Semiconductores

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