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RF Power MOSFET Semiconductores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA084808NF-V1-R5
MACOM
500: S/419.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA084808NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084808NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/419.53

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288

PTRA084858NF-V1-R5
MACOM
500: S/419.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA084858NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084858NFV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/419.53

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA087008NB-V1-R5
MACOM
500: S/500.50
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA087008NB-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NB1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/500.50

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275

PTRA087008NB-V1-R2
MACOM
250: S/485.43
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA087008NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/485.43

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA094808NF-V1-R5
MACOM
500: S/419.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA094808NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA094808NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/419.53

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275

PTRA095908NB-V1-R2
MACOM
250: S/478.35
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA095908NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA095908NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/478.35

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA097008NB-V1-R2
MACOM
250: S/485.43
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA097008NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097008NB1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

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Envase tipo carrete

S/485.43

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288

PTRA097058NB-V1-R2
MACOM
250: S/511.75
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA097058NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097058NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/511.75

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA082407NF-V1-R5
MACOM
500: S/269.59
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA082407NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA082407NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/269.59

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA084007NF-V1-R5
MACOM
500: S/377.49
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA084007NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA084007NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/377.49

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA092407NF-V1-R5
MACOM
500: S/278.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA092407NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA092407NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/278.04

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288

PTVA092407NF-V2-R5
MACOM
500: S/269.59
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA092407NF-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA092407NFV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/269.59

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120252MT-V1-R1K
MACOM
1,000: S/79.17
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120252MT-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120252MT1RK

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/79.17

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC200902FC-V1-R0
MACOM
50: S/250.75
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC200902FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC200902FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/250.75

S/225.84

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC200902FC-V1-R2
MACOM
250: S/225.88
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC200902FC-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC200902FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/225.88

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC201202FC-V2-R0
MACOM
50: S/310.70
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC201202FC-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/310.70

S/282.95

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC201202FC-V2-R250
MACOM
250: S/282.98
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC201202FC-V2-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/282.98

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC201602FC-V1-R0
MACOM
50: S/362.24
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC201602FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/362.24

S/329.93

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC201602FC-V1-R250
MACOM
250: S/329.97
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC201602FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/329.97

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

PXAE263708NB-V1-R0
MACOM
50: S/259.01
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAE263708NB-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/259.01

S/226.58

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16080CF2
STMicroelectronics
160: S/235.81
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16080CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16080CF2

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/235.81

Min.: 160
Mult.: 160

: 160

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L42008CG2
STMicroelectronics
300: S/134.76
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L42008CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L42008CG2

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/134.76

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

RF3L05250CB4
STMicroelectronics
100: S/764.84
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF3L05250CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05250CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/764.84

Min.: 100
Mult.: 100

: 100