.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RF Power MOSFET Semiconductores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores

Lista Imágenes

Resultados: 336

Filtros aplicados:

Tipo = RF Power MOSFET

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB

MRF151G
MACOM
1: S/1,748.74
Plazo de entrega 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRF151G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF151G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 28 Semanas

S/1,748.74

S/1,490.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB

MRF275L
MACOM
80: S/758.88
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRF275L

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275L

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

S/758.88

Min.: 80
Mult.: 80

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB

UF2840G
MACOM
40: S/1,250.78
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
UF2840G

N.º de artículo de Mouser
937-UF2840G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/1,250.78

Min.: 40
Mult.: 40

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL

ART1K6PHGY
Ampleon
100: S/714.74
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHGY

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHGY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/714.74

Presupuesto

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

ART1K6PHGZ
Ampleon
60: S/741.29
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHGZ

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHGZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/741.29

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL

ART1K6PHY
Ampleon
100: S/712.37
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHY

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/712.37

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

ART1K6PHZ
Ampleon
60: S/734.55
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHZ

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/734.55

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 60

: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

BLP0408H9S30GXY
Ampleon
1: S/145.27
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP0408H9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0408H9S30GXY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/145.27

S/118.18

S/111.40

Envase tipo carrete

S/108.13

S/104.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

BLP0408H9S30GZ
Ampleon
500: S/102.22
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP0408H9S30GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0408H9S30GZ

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/102.22

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981Z
Ampleon
500: S/185.09
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981Z

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/185.09

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

CLP24H4S30PZ
Ampleon
1,000: S/230.59
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CLP24H4S30PZ

N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PZ

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/230.59

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAB182002FC-V1-R0
MACOM
50: S/432.57
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAB182002FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/432.57

S/394.04

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAB182002FC-V1-R250
MACOM
250: S/394.08
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAB182002FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/394.08

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R0
MACOM
50: S/306.42
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAC260302FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/306.42

S/276.02

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R250
MACOM
250: S/276.06
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAC260302FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/276.06

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

PTFA211801E-V5-R0
MACOM
50: S/692.24
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFA211801E-V5-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

No en existencias

Envase tipo carrete

S/692.24

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

PTFA211801E-V5-R250
MACOM
250: S/646.70
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFA211801E-V5-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R25

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

No en existencias

Envase tipo carrete

S/646.70

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFB201402FC-V2-R0
MACOM
50: S/305.33
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFB201402FC-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/305.33

S/278.12

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFB201402FC-V2-R250
MACOM
250: S/278.16
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFB201402FC-V2-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/278.16

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC260202FC-V1-R0
MACOM
50: S/254.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFC260202FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/254.30

S/229.03

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC260202FC-V1-R250
MACOM
250: S/229.07
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFC260202FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/229.07

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

PTGA090304MD-V1-R5
MACOM
500: S/158.50
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTGA090304MD-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/158.50

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

PTGA090304MD-V2-R5
MACOM
500: S/158.46
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTGA090304MD-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/158.46

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

PTMC210404MD-V2-R5
MACOM
500: S/180.69
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTMC210404MD-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTMC210404MDV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/180.69

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

PTNC210604MD-V1-R5
MACOM
500: S/194.16
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTNC210604MD-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTNC210604MDV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/194.16

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

RF Power MOSFET Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte