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RF Power MOSFET Semiconductores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

UF28150J
MACOM
1: S/2,368.20
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28150J

N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

Hoja de datos

20En existencias

S/2,368.20

S/2,062.25

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH27F71
CML Micro
1: S/218.14
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH27F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

S/218.14

Envase tipo carrete

S/218.14

S/188.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R0
MACOM
1: S/190.03
39En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA030121EA-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

39En existencias

Cinta cortada

S/190.03

S/162.08

Envase tipo carrete

S/162.08

S/141.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/684.46
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

S/684.46

S/546.12

Envase tipo carrete

S/546.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

BLF981SU
Ampleon
1: S/537.40
55En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981SU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

55En existencias

S/537.40

S/451.72

S/419.42

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

BLF981U
Ampleon
1: S/524.79
26En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

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Hoja de datos

26En existencias

S/524.79

S/442.81

S/410.74

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981XY
Ampleon
1: S/250.02
43En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

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Hoja de datos

43En existencias

Cinta cortada

S/250.02

S/206.65

S/195.83

Envase tipo carrete

S/191.36

S/185.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

CLP24H4S30PXY
Ampleon
1: S/302.95
82En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CLP24H4S30PXY

N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PXY

Nuevo producto

Ampleon

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

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Hoja de datos

82En existencias

Cinta cortada

S/302.95

S/251.81

S/238.88

Envase tipo carrete

S/231.84

S/228.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: S/684.46
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

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Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

S/684.46

S/546.12

Envase tipo carrete

S/546.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: S/764.84
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/764.84

S/614.39

Envase tipo carrete

S/614.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: S/21.02
19,716En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

19,716En existencias

Cinta cortada

S/21.02

S/13.70

S/12.03

S/11.37

Envase tipo carrete

S/8.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57030-E
STMicroelectronics
1: S/194.12
511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57030-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

511En existencias

S/194.12

S/145.31

S/130.36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: S/364.49
719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

719En existencias

S/364.49

S/289.56

S/273.88

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

SD2932W
STMicroelectronics
1: S/788.85
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

Hoja de datos

89En existencias

S/788.85

S/639.23

Min.: 1
Mult.: 1

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

TGF2929-FL
Qorvo
1: S/2,693.03
63En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TGF2929-FL

N.º de artículo de Mouser
772-TGF2929-FL

Qorvo

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Obtenga más información

Hoja de datos

63En existencias

S/2,693.03

S/2,666.36

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: S/173.02
887En existencias
2,000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

887En existencias

2,000En pedido

S/173.02

S/141.38

S/137.79

S/123.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: S/340.67
435En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

435En existencias

S/340.67

S/285.79

S/269.09

S/254.18

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: S/25.50
10,000En existencias
7,000Se espera el 29/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

Hoja de datos

10,000En existencias

7,000Se espera el 29/07/2026

Cinta cortada

S/25.50

S/16.70

S/14.17

S/13.16

Envase tipo carrete

S/10.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: S/177.34
522En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V

Hoja de datos

522En existencias

Cinta cortada

S/177.34

S/144.29

S/135.42

S/133.59

Ver

Envase tipo carrete

S/120.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: S/92.06
2,103En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

Hoja de datos

2,103En existencias

Cinta cortada

S/92.06

S/73.69

S/68.35

S/65.94

Ver

Envase tipo carrete

S/60.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,594.64
64En existencias
100Se espera el 12/10/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Hoja de datos

64En existencias

100Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

S/1,594.64

S/1,381.21

S/1,327.97

Envase tipo carrete

S/1,295.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1: S/1,392.35
28En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50NR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Hoja de datos

28En existencias

Cinta cortada

S/1,392.35

S/1,202.04

S/1,154.52

Envase tipo carrete

S/1,125.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V

MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,695.34
83En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP61K25HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V

Hoja de datos

83En existencias

Cinta cortada

S/1,695.34

S/1,465.53

S/1,408.23

Envase tipo carrete

S/1,373.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460AG
Microchip Technology
1: S/220.55
82En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

82En existencias

S/220.55

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463AP1G
Microchip Technology
1: S/175.28
392En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF463AP1G

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

392En existencias

S/175.28

Min.: 1
Mult.: 1

RF Power MOSFET Semiconductores

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