Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF2L24280CB4
RF2L24280CB4
STMicroelectronics
100:
S/808.55
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N.º de artículo de Mouser
511-RF2L24280CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF4L10700CB4
RF4L10700CB4
STMicroelectronics
100:
S/808.55
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N.º de artículo de Mouser
511-RF4L10700CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L051K0CB4
RF5L051K0CB4
STMicroelectronics
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S/640.39
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511-RF5L051K0CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L051K5CB4
RF5L051K5CB4
STMicroelectronics
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S/749.31
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L051K5CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L052K0CB4
RF5L052K0CB4
STMicroelectronics
100:
S/723.89
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L052K0CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L05500CB4
RF5L05500CB4
STMicroelectronics
100:
S/501.16
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L05500CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L05750CF2
RF5L05750CF2
STMicroelectronics
100:
S/501.16
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511-RF5L05750CF2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
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100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L05950CF2
RF5L05950CF2
STMicroelectronics
100:
S/501.16
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L05950CF2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
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100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
RF5L0912750CB4
STMicroelectronics
100:
S/808.55
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511-RF5L0912750CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Mult.: 100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics
100:
S/808.55
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
RF5L1214750CB4
STMicroelectronics
100:
S/808.55
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L1214750CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L15030CB2
RF5L15030CB2
STMicroelectronics
180:
S/202.14
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15030CB2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Carrete :
180
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
STMicroelectronics SD2931-15W
SD2931-15W
STMicroelectronics
1:
S/342.19
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-15W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
STMicroelectronics SD2933-03W
SD2933-03W
STMicroelectronics
50:
S/557.13
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-SD2933-03W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics STAC1011-500
STAC1011-500
STMicroelectronics
80:
S/584.81
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STAC1011-500
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Comprar
Min.: 80
Mult.: 80
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 500 V 2000 W 30 MHz T4
Microchip Technology DRF1310
DRF1310
Microchip Technology
10:
S/1,462.49
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
DRF1310
N.º de artículo de Mouser
579-DRF1310
Nuevo producto
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 500 V 2000 W 30 MHz T4
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
MACOM MRF154
MRF154
MACOM
10:
S/4,398.60
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
N.º de artículo del Fabricante
MRF154
N.º de artículo de Mouser
937-MRF154
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
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Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MMA-005022C
MMA-005022C
CML Micro
10:
S/760.21
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MMA-005022C
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Min.: 10
Mult.: 10
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MMA-012030
MMA-012030
CML Micro
10:
S/510.07
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MMA-012030
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Mult.: 10
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MMA-012030-M4
MMA-012030-M4
CML Micro
100:
S/344.49
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MMA-012030-M4
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MMA-012727
MMA-012727
CML Micro
10:
S/510.07
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MMA-012727
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Min.: 10
Mult.: 10
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MMA-012727-M4
MMA-012727-M4
CML Micro
100:
S/412.14
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MMA-012727-M4
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-5F71
MWT-5F71
CML Micro
10:
S/362.82
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-5F71
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Min.: 10
Mult.: 10
Carrete :
10
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH11F71
MWT-PH11F71
CML Micro
10:
S/565.11
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH11F71
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Min.: 10
Mult.: 10
Carrete :
10
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH11FV
MWT-PH11FV
CML Micro
10:
S/474.11
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH11FV
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10