Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R0
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50:
S/684.73
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N.º de artículo de Mouser 941-PXAD184218FV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R2
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250:
S/639.65
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N.º de artículo de Mouser 941-PXAD184218FV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD214218FV-V1-R0
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50:
S/684.73
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N.º de artículo de Mouser 941-PXAD214218FV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC191507FC-V1-R0
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S/332.96
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFC191507FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC191507FC-V1-R250
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250:
S/303.30
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFC191507FC1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC192207FH-V3-R250
MACOM
250:
S/454.99
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFC192207FH3R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
PXFE181507FC-V1-R0
MACOM
50:
S/274.03
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFE181507FCV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
PXFE181507FC-V1-R2
MACOM
250:
S/246.86
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N.º de artículo de Mouser 941-PXFE181507FCV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R0
MACOM
50:
S/274.03
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NRND
N.º de artículo de Mouser 941-PXFE211507FCV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R2
MACOM
250:
S/246.86
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NRND
N.º de artículo de Mouser 941-PXFE211507FCV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,634.38
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
693 Existencias en fábrica disponibles
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD020NT1
NXP Semiconductors
1:
S/106.81
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-A2T08VD020NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
693 Existencias en fábrica disponibles
1
S/106.81
10
S/69.99
25
S/59.36
50
S/55.16
100
Ver
1,000
S/40.48
100
S/51.54
250
S/48.50
500
S/44.26
1,000
S/40.48
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Carrete :1,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
S/117.86
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031GNR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
693 Existencias en fábrica disponibles
1
S/117.86
10
S/96.77
25
S/91.01
50
S/89.45
100
Ver
500
S/78.36
100
S/85.52
250
S/83.18
500
S/78.36
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Carrete :500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
MRF1518NT1
NXP Semiconductors
1:
S/57.69
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1518NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
693 Existencias en fábrica disponibles
1
S/57.69
10
S/37.80
25
S/32.07
50
S/29.82
100
Ver
1,000
S/22.34
100
S/27.83
250
S/26.31
1,000
S/22.34
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Carrete :1,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
1:
S/2,711.63
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF6V12250HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
693 Existencias en fábrica disponibles
1
S/2,711.63
10
S/2,640.91
50
S/2,640.91
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
MRF6V12500HR5
NXP Semiconductors
1:
S/3,681.80
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF6V12500HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
693 Existencias en fábrica disponibles
1
S/3,681.80
10
S/3,519.99
50
S/3,519.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1:
S/381.23
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6S9060NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
Plazo de entrega 53 Semanas
1
S/381.23
10
S/318.21
25
S/302.49
50
S/296.69
100
Ver
500
S/271.97
100
S/284.58
250
S/284.46
500
S/271.97
2,500
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,675.57
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
693 Existencias en fábrica disponibles
Embalaje alternativo
1
S/1,675.57
10
S/1,455.02
50
S/1,455.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
S/1,265.18
693 Existencias en fábrica disponibles
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR6
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
693 Existencias en fábrica disponibles
Embalaje alternativo
1
S/1,265.18
10
S/1,090.44
25
S/1,025.44
50
S/1,006.17
100
S/956.39
150
S/956.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :150
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
LTA/PTRA084858NF-V1
MACOM
1:
S/2,884.73
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 941-TAPTRA084858NFV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
No en existencias
1
S/2,884.73
10
S/2,568.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
LTA/PTRA095908NB-V1
MACOM
1:
S/2,884.73
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 941-TAPTRA095908NBV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
No en existencias
1
S/2,884.73
10
S/2,568.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
LTA/PTRA097058NB-V1
MACOM
1:
S/2,884.73
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 941-TAPTRA097058NBV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
No en existencias
1
S/2,884.73
10
S/2,568.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
LTA/PXAE261908NF-V1
MACOM
1:
S/2,884.73
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 941-TAPXAE261908NFV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
No en existencias
1
S/2,884.73
10
S/2,568.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF161
VRF161
Microchip Technology
12:
S/318.37
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
N.º de artículo del Fabricante
VRF161
N.º de artículo de Mouser 494-VRF161
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Comprar
Min.: 12 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
Microchip Technology VRF2944MP
VRF2944MP
Microchip Technology
10:
S/1,552.41
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
N.º de artículo de Mouser 494-VRF2944MP
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Comprar
Min.: 10 Mult.: 1
Detalles
Perú
