TO-3P-3 Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
S/50.41
S/27.95
S/26.35
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET No en existencias
S/36.04
S/24.64
S/20.28
S/18.06
S/16.89
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 32A P-CH TRENCH Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
S/19.50
S/19.31
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 200V 60 Rds No en existencias
S/16.19
S/10.59
S/7.86
S/6.58
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
S/27.13
S/24.64
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 300V 85 Rds No en existencias
S/22.03
S/14.44
S/10.59
S/9.42
S/8.33
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/14.32
S/12.73
S/11.44
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET No en existencias
S/40.56
S/28.69
S/23.86
S/21.25
S/19.89
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
S/30.56
S/30.28
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
S/12.11
S/11.99
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 54 Amps 300V 72 Rds No en existencias
S/24.80
S/16.27
S/11.95
S/10.63
S/9.42
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 300V 60 Rds No en existencias
S/27.01
S/17.71
S/13.00
S/11.56
S/10.24
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 150V 0.04 Rds Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
S/49.43
S/36.82
S/27.48
S/27.40
S/25.92
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 250V 50 Rds No en existencias
S/22.03
S/14.44
S/10.59
S/9.42
S/8.33
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 300V 69A N-CH POLAR Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
S/26.04
S/25.65
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 72 Amps 200V 33 Rds No en existencias
S/22.03
S/14.44
S/10.59
S/9.42
S/8.33
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 72 Amps 300V 52 Rds No en existencias
S/27.25
S/18.26
S/14.64
S/13.00
S/11.52
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
S/18.65
S/18.18
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
S/17.32
S/17.17
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 250V 86A N-CH TRENCH Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
S/21.33
S/20.79
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 250V 36 Rds Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
S/19.38
S/18.92
Min.: 300
Mult.: 30
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 98 Amps 200V 26 Rds No en existencias
S/27.01
S/17.71
S/13.00
S/11.56
S/10.24
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3) No en existencias
S/24.72
S/22.03
S/20.59
Min.: 300
Mult.: 30
IGBTs Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors SCR BT155K-1200T/TO3P/STANDARD MAR Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
S/11.41
Min.: 900
Mult.: 450
SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.72 Rds No en existencias
S/28.18
S/18.45
S/13.58
S/12.07
S/10.67
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3