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TO-3P-3 Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V TTC0002(Q) Toshiba 1: S/18.06 382En existencias	N.º de artículo del Fabricante TTC0002(Q) N.º de artículo de Mouser 757-TTC0002Q	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V Obtenga más información sobre Toshiba bipolar transistors	Hoja de datos	382En existencias	S/18.06 S/11.91 S/8.41 S/8.10 Ver S/7.79 S/7.51 S/7.08	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Rectificadores Dual ultrafast power diode BYV415K-600PQ WeEn Semiconductors 1: S/12.73 474En existencias	N.º de artículo del Fabricante BYV415K-600PQ N.º de artículo de Mouser 771-BYV415K-600P	WeEn Semiconductors	Rectificadores Dual ultrafast power diode Obtenga más información sobre WeEn Semiconductors nxp ultrafast rectifiers	Hoja de datos	474En existencias	S/12.73 S/8.29 S/4.98 S/4.94 Ver S/4.79 S/4.59	Min.: 1 Mult.: 1	Rectifiers		Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH IXTQ60N20T IXYS 1: S/28.84 274En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ60N20T N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ60N20T	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH Obtenga más información sobre IXYS gen1 trench gate mosfets	Hoja de datos	274En existencias	S/28.84 S/19.31 S/15.49 S/13.12	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A 2SA1943-O(Q) Toshiba 1: S/20.59 7,649En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante 2SA1943-O(Q) N.º de artículo de Mouser 757-2SA1943-O(Q) NRND	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A	Hoja de datos	7,649En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: 2SA1943-O(Q) Existencias: 0 En pedido: 1,849 Se espera el 26/10/2026 2,400 Se espera el 30/10/2026 3,400 Se espera el 15/03/2027 Plazo de entrega de fábrica: 21 Semanas	S/20.59 S/14.01 S/11.87 S/7.28 S/6.62	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 2SC5200-O(S1,F Toshiba 1: S/18.14 1,038Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante 2SC5200-O(S1,F N.º de artículo de Mouser 757-2SC5200-OS1F	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ	Hoja de datos	1,038Se espera el 2/11/2026	S/18.14 S/10.35 S/8.60	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors		Through Hole	TO-3P-3
Rectificadores 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier HER3003PT C0 Taiwan Semiconductor 1: S/12.53 319En existencias Verificar estado con la fábrica	N.º de artículo del Fabricante HER3003PT C0 N.º de artículo de Mouser 821-HER3003PTC0 Verificar estado con la fábrica	Taiwan Semiconductor	Rectificadores 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier	Hoja de datos	319En existencias	S/12.53 S/8.14 S/5.64 Ver S/4.71 S/4.32 S/4.09	Min.: 1 Mult.: 1	Rectifiers		Through Hole	TO-3P-3
SCR 50 Amp 1200 Volt BTW69-1200RG STMicroelectronics 1: S/28.18 3,659En pedido	N.º de artículo del Fabricante BTW69-1200RG N.º de artículo de Mouser 511-BTW69-1200	STMicroelectronics	SCR 50 Amp 1200 Volt Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	3,659En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BTW69-1200RG Existencias: 0 En pedido: 1,259 Se espera el 9/11/2026 2,400 Se espera el 23/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 16 Semanas	S/28.18 S/16.31 S/13.62 S/11.91	Min.: 1 Mult.: 1	SCRs		Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds IXTQ10P50P IXYS 1: S/39.86 537Se espera el 4/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IXTQ10P50P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ10P50P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	537Se espera el 4/01/2027	S/39.86 S/21.56 S/19.89 S/19.62	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V IXTQ40N50L2 IXYS 1: S/93.81 300Se espera el 2/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IXTQ40N50L2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ40N50L2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V Obtenga más información sobre IXYS mosfet with fbsoa	Hoja de datos	300Se espera el 2/02/2027	S/93.81 S/56.83 S/56.29	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds IXTQ50N20P IXYS 1: S/30.52 810En pedido	N.º de artículo del Fabricante IXTQ50N20P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ50N20P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	810En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IXTQ50N20P Existencias: 0 En pedido: 360 Se espera el 6/11/2026 450 Se espera el 9/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 21 Semanas	S/30.52 S/16.19 S/14.83 S/12.96	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 2SC5359-O(Q) Toshiba 1: S/18.29 1,500Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante 2SC5359-O(Q) N.º de artículo de Mouser 757-2SC5359-O(Q)	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A Obtenga más información sobre Toshiba bipolar transistors	Hoja de datos	1,500Se espera el 2/11/2026	S/18.29 S/12.11 S/8.52 S/7.12	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3) CMA50E1600QB IXYS 1: S/34.68 26Se espera el 19/03/2027	N.º de artículo del Fabricante CMA50E1600QB N.º de artículo de Mouser 747-CMA50E1600QB	IXYS	SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)	Hoja de datos	26Se espera el 19/03/2027	S/34.68 S/21.76 S/18.53 S/16.74	Min.: 1 Mult.: 1	SCRs		Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS NJW44H11G onsemi 1: S/14.44 101Se espera el 30/04/2027	N.º de artículo del Fabricante NJW44H11G N.º de artículo de Mouser 863-NJW44H11G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS	Hoja de datos	101Se espera el 30/04/2027	S/14.44 S/7.90 S/6.42 S/5.37 S/4.75	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
SCR 50 Amp 800 Volt BTW69-800RG STMicroelectronics 1: S/27.68 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante BTW69-800RG N.º de artículo de Mouser 511-BTW69-800	STMicroelectronics	SCR 50 Amp 800 Volt Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	S/27.68 S/15.88 S/13.27 S/12.26	Min.: 1 Mult.: 1	SCRs		Through Hole	TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 20 Amps 600V DHG20C600QB IXYS 1: S/22.15 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante DHG20C600QB N.º de artículo de Mouser 747-DHG20C600QB	IXYS	Diodos de Conmutación de Señal Baja 20 Amps 600V	Hoja de datos	No en existencias	S/22.15 S/14.52 S/10.67 S/9.46 S/8.52	Min.: 1 Mult.: 1	Small Signal Switching Diodes		Through Hole	TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V DPG120C300QB IXYS 1: S/53.52 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	N.º de artículo del Fabricante DPG120C300QB N.º de artículo de Mouser 747-DPG120C300QB	IXYS	Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	S/53.52 S/29.86 S/28.57 S/28.14	Min.: 1 Mult.: 1	Small Signal Switching Diodes		Through Hole	TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V DPG60C400QB IXYS 1: S/37.80 Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas	N.º de artículo del Fabricante DPG60C400QB N.º de artículo de Mouser 747-DPG60C400QB	IXYS	Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas	S/37.80 S/20.32 S/19.35 S/19.15	Min.: 1 Mult.: 1	Small Signal Switching Diodes		Through Hole	TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V DPG60IM400QB IXYS 1: S/32.81 Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas	N.º de artículo del Fabricante DPG60IM400QB N.º de artículo de Mouser 747-DPG60IM400QB	IXYS	Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas	S/32.81 S/20.63 S/17.59 S/15.84	Min.: 1 Mult.: 1	Small Signal Switching Diodes		Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET IXFQ22N60P3 IXYS 300: S/25.61 Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IXFQ22N60P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ22N60P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	S/25.61	Min.: 300 Mult.: 30	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) IXFQ24N60X IXYS 1: S/34.41 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFQ24N60X N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ24N60X	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) Obtenga más información sobre IXYS x class mosfets	Hoja de datos	No en existencias	S/34.41 S/24.25 S/19.58 S/17.40 S/15.65	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET IXFQ28N60P3 IXYS 1: S/37.02 Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IXFQ28N60P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ28N60P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	S/37.02 S/19.85 S/18.96 S/17.91	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) IXFQ30N60X IXYS 1: S/37.10 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFQ30N60X N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ30N60X	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) Obtenga más información sobre IXYS x class mosfets	Hoja de datos	No en existencias	S/37.10 S/25.34 S/20.86 S/18.61 S/17.40	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET IXFQ34N50P3 IXYS 300: S/24.09 Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IXFQ34N50P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ34N50P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	S/24.09 S/23.63	Min.: 300 Mult.: 30	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode IXFQ50N50P3 IXYS 1: S/52.78 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IXFQ50N50P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ50N50P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	S/52.78 S/29.39 S/28.84 S/27.95	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET IXFQ50N60P3 IXYS 300: S/28.77 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IXFQ50N60P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ50N60P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	S/28.77	Min.: 300 Mult.: 30	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3

TO-3P-3 Semiconductores discretos

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