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TO-3P-3 Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds IXTQ88N30P IXYS 1: S/ 62.67 259En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ88N30P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ88N30P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	259En existencias	S/ 62.67 S/ 35.54 S/ 35.38	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba 1: S/ 15.53 5,498En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2SA1943N(S1,E,S) N.º de artículo de Mouser 757-2SA1943N(S1ES)	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ Obtenga más información sobre Toshiba bipolar transistors	Hoja de datos	5,498En existencias	S/ 15.53 S/ 8.02 S/ 6.46 S/ 5.96 Ver S/ 5.53 S/ 5.18	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W NJW0281G onsemi 1: S/ 17.83 3,844En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW0281G N.º de artículo de Mouser 863-NJW0281G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W	Hoja de datos	3,844En existencias	S/ 17.83 S/ 10.24	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 60	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W NJW0302G onsemi 1: S/ 18.18 2,974En existencias 630Se espera el 16/04/2027	N.º de artículo del Fabricante NJW0302G N.º de artículo de Mouser 863-NJW0302G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W	Hoja de datos	2,974En existencias 630Se espera el 16/04/2027	S/ 18.18 S/ 10.55	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 60	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP NJW1302G onsemi 1: S/ 23.47 5,287En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW1302G N.º de artículo de Mouser 863-NJW1302G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP	Hoja de datos	5,287En existencias	S/ 23.47 S/ 13.47	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 40	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP NJW21193G onsemi 1: S/ 19.77 1,104En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW21193G N.º de artículo de Mouser 863-NJW21193G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP	Hoja de datos	1,104En existencias	S/ 19.77 S/ 11.09	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 40	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN NJW21194G onsemi 1: S/ 19.77 814En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW21194G N.º de artículo de Mouser 863-NJW21194G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN	Hoja de datos	814En existencias	S/ 19.77 S/ 11.09	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 60	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO NJW3281G onsemi 1: S/ 21.88 1,903En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW3281G N.º de artículo de Mouser 863-NJW3281G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO	Hoja de datos	1,903En existencias	S/ 21.88 S/ 13.43	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 40	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 2SA1943-O(S1,F Toshiba 1: S/ 17.75 591En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2SA1943-O(S1,F N.º de artículo de Mouser 757-2SA1943-OS1F	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ	Hoja de datos	591En existencias	S/ 17.75 S/ 10.12 S/ 10.08 S/ 9.58 Ver S/ 9.23 S/ 8.91 S/ 8.33	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors		Through Hole	TO-3P-3
IGBTs 600V/30A DIS GT30J121(Q) Toshiba 1: S/ 18.02 131En existencias	N.º de artículo del Fabricante GT30J121(Q) N.º de artículo de Mouser 757-GT30J121(Q)	Toshiba	IGBTs 600V/30A DIS	Hoja de datos	131En existencias	S/ 18.02 S/ 11.91 S/ 9.34 S/ 6.89 S/ 6.81	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V DPG60C200QB IXYS 1: S/ 34.33 4En existencias 30Se espera el 17/05/2027	N.º de artículo del Fabricante DPG60C200QB N.º de artículo de Mouser 747-DPG60C200QB	IXYS	Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	4En existencias 30Se espera el 17/05/2027	S/ 34.33 S/ 21.56 S/ 17.44 S/ 16.66	Min.: 1 Mult.: 1	Small Signal Switching Diodes		Through Hole	TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V DPG60C300QB IXYS 1: S/ 35.27 6En existencias	N.º de artículo del Fabricante DPG60C300QB N.º de artículo de Mouser 747-DPG60C300QB	IXYS	Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	6En existencias	S/ 35.27 S/ 19.15 S/ 17.52 S/ 15.73	Min.: 1 Mult.: 1	Small Signal Switching Diodes		Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET IXFQ20N50P3 IXYS 1: S/ 31.76 71En existencias 1,200Se espera el 4/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IXFQ20N50P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ20N50P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	71En existencias 1,200Se espera el 4/11/2026	S/ 31.76 S/ 19.89 S/ 16.89 S/ 14.48	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) IXFQ72N30X3 IXYS 1: S/ 53.21 4En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFQ72N30X3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ72N30X3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) Obtenga más información sobre IXYS x3 hiperfet mosfets	Hoja de datos	4En existencias	S/ 53.21 S/ 40.52 S/ 30.17 S/ 28.14	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode IXFQ94N30P3 IXYS 1: S/ 61.19 152En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFQ94N30P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ94N30P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	152En existencias	S/ 61.19 S/ 34.60 S/ 34.57 S/ 29.54	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds IXTQ110N10P IXYS 1: S/ 39.82 69En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ110N10P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ110N10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	69En existencias	S/ 39.82 S/ 25.15 S/ 19.31 S/ 18.72	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds IXTQ14N60P IXYS 1: S/ 28.30 219En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ14N60P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ14N60P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	219En existencias	S/ 28.30 S/ 14.79 S/ 13.55 S/ 12.49	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds IXTQ22N60P IXYS 1: S/ 38.81 34En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ22N60P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ22N60P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	34En existencias	S/ 38.81 S/ 25.15 S/ 19.31 S/ 18.96	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds IXTQ26N50P IXYS 1: S/ 38.81 262En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ26N50P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ26N50P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	262En existencias	S/ 38.81 S/ 20.94 S/ 19.31 S/ 18.72	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds IXTQ36N30P IXYS 1: S/ 29.12 230En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ36N30P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ36N30P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	230En existencias	S/ 29.12 S/ 15.26 S/ 13.97 S/ 12.96	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET IXTQ460P2 IXYS 1: S/ 33.90 115En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ460P2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ460P2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp2 mosfets	Hoja de datos	115En existencias	S/ 33.90 S/ 18.06 S/ 16.58 S/ 15.84	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds IXTQ52P10P IXYS 1: S/ 41.73 260En existencias 300Se espera el 29/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IXTQ52P10P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ52P10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	260En existencias 300Se espera el 29/12/2026	S/ 41.73 S/ 22.85 S/ 21.10 S/ 19.62	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds IXTQ75N10P IXYS 1: S/ 29.12 128En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ75N10P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ75N10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	128En existencias	S/ 29.12 S/ 15.26 S/ 13.97 S/ 12.81	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds IXTQ96N20P IXYS 1: S/ 47.18 117En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ96N20P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ96N20P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	117En existencias	S/ 47.18 S/ 25.96 S/ 25.92 S/ 24.44	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba 1: S/ 14.44 766En existencias 7,250En pedido	N.º de artículo del Fabricante 2SC5200N(S1,E,S) N.º de artículo de Mouser 757-2SC5200N(S1ES)	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ Obtenga más información sobre Toshiba bipolar transistors	Hoja de datos	766En existencias 7,250En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: 2SC5200N(S1,E,S) Existencias: 766 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,325 Se espera el 23/11/2026 4,925 Se espera el 22/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 19 Semanas	S/ 14.44 S/ 8.10 S/ 6.54 S/ 5.41	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3

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