Reguladores de tensión LDO Nano Cap™, QuiCur™, 500mA 5.0V, Fixed Output LDO Regulator
BD950N5FP-CE2
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Reguladores de tensión LDO Nano Cap™, QuiCur™, 500mA 5.0V, Fixed Output LDO Regulator
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A
RD3N045ATTL1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
RD3P04BBKHRBTL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
GANE240-700BBAZ
Nexperia
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Nexperia
GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
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Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
TL720M05GQKVURQ1M3
Texas Instruments
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Texas Instruments
Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
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Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
TL720M05QKVURQ1M3
Texas Instruments
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Texas Instruments
Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
2,479 En existencias
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S/11.95
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S/8.91
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S/8.14
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Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
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DSC08C065D1-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
2,495 En existencias
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S/3.05
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Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
DSC10A065D1-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DSC10A065D1-13
Diodes Incorporated
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
2,229 En existencias
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S/13.39
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S/6.07
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S/4.48
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Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
360°
+6 imágenes
DSC10C065D1-13
Diodes Incorporated
1:
S/10.94
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N.º de artículo de Mouser 621-DSC10C065D1-13
Diodes Incorporated
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
2,500 En existencias
1
S/10.94
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2,500
S/3.72
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Diodos Schottky de SiC 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
BSDD08G65E2
Bourns
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N.º de artículo de Mouser 652-BSDD08G65E2
Bourns
Diodos Schottky de SiC 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
4,945 En existencias
1
S/14.60
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S/9.54
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S/5.10
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S/5.37
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S/5.10
5,000
S/5.10
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
BSDD10S65E6
Bourns
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S/19.23
4,965 En existencias
N.º de artículo de Mouser 652-BSDD10S65E6
Bourns
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
4,965 En existencias
1
S/19.23
10
S/12.73
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S/7.32
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S/7.32
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
2SAR587D3FRATL
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
4,583 En existencias
1
S/6.19
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S/2.60
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S/2.04
1,000
S/1.85
2,500
S/1.65
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
R6010YND3TL1
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
2,415 En existencias
1
S/11.37
10
S/7.36
100
S/5.06
500
S/4.09
1,000
S/3.84
2,500
S/3.61
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET
R6014YND3TL1
ROHM Semiconductor
1:
S/15.45
4,936 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-R6014YND3TL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET
4,936 En existencias
1
S/15.45
10
S/10.12
100
S/7.08
500
S/5.84
2,500
S/5.84
5,000
S/5.45
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
R6502END3TL1
ROHM Semiconductor
1:
S/6.97
3,457 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-R6502END3TL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
3,457 En existencias
1
S/6.97
10
S/4.44
100
S/2.95
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S/2.32
2,500
S/1.96
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1,000
S/2.12
5,000
S/1.83
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Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
RD3G08CBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1:
S/11.25
2,272 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RD3G08CBKHRBTL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2,272 En existencias
1
S/11.25
10
S/7.28
100
S/5.02
500
S/4.05
1,000
S/3.79
2,500
S/3.56
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
RD3G08CBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1:
S/11.09
2,480 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RD3G08CBLHRBTL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2,480 En existencias
1
S/11.09
10
S/7.20
100
S/4.94
500
S/3.97
1,000
S/3.72
2,500
S/3.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RD3P02BATTL1
ROHM Semiconductor
1:
S/8.87
2,467 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RD3P02BATTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
2,467 En existencias
1
S/8.87
10
S/5.68
100
S/3.85
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S/3.07
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S/2.82
2,500
S/2.57
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Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 35A N-CH MOSFET
RD3P03BBHTL1
ROHM Semiconductor
1:
S/9.89
3,796 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RD3P03BBHTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 35A N-CH MOSFET
3,796 En existencias
1
S/9.89
10
S/6.38
100
S/4.36
500
S/3.47
2,500
S/3.17
5,000
Ver
1,000
S/3.30
5,000
S/2.98
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Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
RD3P06BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1:
S/9.69
2,705 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RD3P06BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2,705 En existencias
1
S/9.69
10
S/6.23
100
S/4.24
500
S/3.39
1,000
S/3.11
2,500
S/2.89
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
