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TO-247-3 Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
1: S/113.54
315En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXTX400N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX400N20X4

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

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315En existencias

S/113.54

S/91.63

S/80.15

S/75.55

Min.: 1
Mult.: 1

SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248

VS-70TPS16-M3
Vishay Semiconductors
1: S/60.41
973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-70TPS16-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-70TPS16-M3

Vishay Semiconductors

SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248

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973En existencias

S/60.41

S/46.01

S/38.30

S/34.14

S/32.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: S/15.61
23,516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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23,516En existencias

S/15.61

S/8.64

S/5.76

S/5.49

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/27.52
418En existencias
600Se espera el 31/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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418En existencias

600Se espera el 31/08/2026

S/27.52

S/18.41

S/14.79

S/13.16

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Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

VS-3C20CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/29.66
512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C20CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C20CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

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512En existencias

S/29.66

S/16.31

S/13.90

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs IXYH55N120C4H1

IXYH55N120C4H1
IXYS
1: S/76.45
629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH55N120C4H1

N.º de artículo de Mouser
576-IXYH55N120C4H1

IXYS

IGBTs IXYH55N120C4H1

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629En existencias

S/76.45

S/51.69

S/44.69

S/42.39

S/40.99

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC

VS-3C16CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/26.04
886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C16CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C16CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC

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886En existencias

S/26.04

S/16.00

S/12.61

S/12.14

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247

BIDW30N60T
Bourns
1: S/18.96
1,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BIDW30N60T

N.º de artículo de Mouser
652-BIDW30N60T

Bourns

IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247

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S/18.96

S/12.11

S/10.00

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

IKQ100N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.03
1,112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKQ100N120CS7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKQ100N120CS7XKS

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

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1,112En existencias

S/51.03

S/38.03

S/28.34

S/26.74

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

IKQ120N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.67
599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKQ120N120CS7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKQ120N120CS7XKS

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

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599En existencias

S/49.67

S/37.95

S/32.58

S/30.91

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V

IXTH30N60L2
IXYS
1: S/88.05
5,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH30N60L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH30N60L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V

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5,113En existencias

S/88.05

S/59.63

S/59.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

FDH44N50
onsemi
1: S/44.80
6,574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDH44N50

N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

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6,574En existencias

S/44.80

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier

MBR6045WT
Littelfuse
1: S/21.91
11,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MBR6045WT

N.º de artículo de Mouser
576-MBR6045WT

Littelfuse

Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier

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11,735En existencias

S/21.91

S/12.81

S/11.17

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL

AFGHL40T65SQD
onsemi
1: S/27.99
6,642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFGHL40T65SQD

N.º de artículo de Mouser
863-AFGHL40T65SQD

onsemi

IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL

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6,642En existencias

S/27.99

S/16.11

S/13.47

S/13.27

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

NTHL110N65S3F
onsemi
1: S/39.82
9,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL110N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL110N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

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9,611En existencias

S/39.82

S/27.21

S/22.38

S/19.97

S/18.68

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3

BSDW20G120C2
Bourns
1: S/43.13
2,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSDW20G120C2

N.º de artículo de Mouser
652-BSDW20G120C2

Bourns

Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3

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2,918En existencias

S/43.13

S/30.48

S/25.42

S/22.11

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

FCH190N65F-F155
onsemi
1: S/32.66
5,870En existencias
60Se espera el 24/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
FCH190N65F-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH190N65F_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

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5,870En existencias

60Se espera el 24/07/2026

S/32.66

S/23.00

S/18.57

S/16.50

S/14.64

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NVHL020N120SC1
onsemi
1: S/203.69
893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

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893En existencias

S/203.69

S/138.53

S/135.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL075N065SC1
onsemi
1: S/41.84
641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL075N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL075N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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641En existencias

S/41.84

S/24.64

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

FCH060N80-F155
onsemi
1: S/83.46
1,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH060N80-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH060N80_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

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1,475En existencias

S/83.46

S/62.32

S/53.87

S/50.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0080
IXYS
1: S/80.11
4,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0080

N.º de artículo de Mouser
576-LSICMO120E0080

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

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4,158En existencias

S/80.11

S/60.49

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

NTHL027N65S3HF
onsemi
1: S/100.58
1,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL027N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL027N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

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Hoja de datos

1,256En existencias

S/100.58

S/80.54

S/69.60

S/65.90

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

NTHL050N65S3HF
onsemi
1: S/74.46
1,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL050N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL050N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

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Hoja de datos

1,907En existencias

S/74.46

S/56.71

S/47.22

S/42.08

S/39.31

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NVHL160N120SC1
onsemi
1: S/52.74
2,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

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Hoja de datos

2,422En existencias

S/52.74

S/31.88

S/27.91

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier

MBR40100WT
Littelfuse
1: S/22.07
7,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MBR40100WT

N.º de artículo de Mouser
576-MBR40100WT

Littelfuse

Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier

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Hoja de datos

7,662En existencias

S/22.07

S/14.83

S/11.68

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-3 Semiconductores

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