Amplificador de RF BROADBAND AMPL / SMA / RoHS
ZX60-272LN-S+
Mini-Circuits
1:
S/590.49
13 En existencias
150 En pedido
N.º de artículo de Mouser 139-ZX60-272LN-S
Mini-Circuits
Amplificador de RF BROADBAND AMPL / SMA / RoHS
13 En existencias
150 En pedido
Ver fechas
Existencias:
13 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
70 Se espera el 30/11/2026
80 Se espera el 8/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
31 Semanas
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50?
YSF-272+
Mini-Circuits
1:
S/16.58
318 En existencias
500 Se espera el 16/11/2026
N.º de artículo de Mouser 139-YSF-272+
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50?
318 En existencias
500 Se espera el 16/11/2026
1
S/16.58
50
S/15.96
100
S/15.34
200
S/13.97
500
S/13.97
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
Amplificador de RF High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz
GRF5226
Guerrilla RF
1:
S/24.52
1,480 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
GRF5226
N.º de artículo de Mouser 459-GRF5226
Nuevo producto
Guerrilla RF
Amplificador de RF High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz
1,480 En existencias
1
S/24.52
10
S/18.80
25
S/17.36
100
S/15.80
250
Ver
1,500
S/14.21
250
S/15.06
500
S/14.60
1,000
S/14.44
1,500
S/14.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
BGAP2D20AE6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/22.50
1,995 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BGAP2D20AE6327XT
Infineon Technologies
Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
1,995 En existencias
1
S/22.50
10
S/17.17
25
S/15.80
100
S/14.32
250
Ver
2,000
S/13.04
250
S/13.62
500
S/13.20
1,000
S/13.08
2,000
S/13.04
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
BGAP2S20AE6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/22.34
1,883 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BGAP2S20AE6327XT
Infineon Technologies
Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
1,883 En existencias
1
S/22.34
10
S/18.14
25
S/16.93
100
S/15.45
250
Ver
2,000
S/12.92
250
S/14.71
500
S/14.56
2,000
S/12.92
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
B11G2327N71DYZ
Ampleon
1:
S/271.35
303 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser 94-B11G2327N71DYZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
303 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/271.35
10
S/224.79
25
S/213.46
100
S/212.30
300
S/202.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :300
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
BLM9D2327S-50PBGY
Ampleon
1:
S/241.61
90 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser 94-BLM9D2327S-50PBGY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
90 En existencias
1
S/241.61
10
S/199.49
25
S/189.56
100
S/187.54
200
S/180.22
1,000
Ver
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :100
Detalles
Extremo frontal RF 2.3 GHz to 2.7 GHz, Receiver Front End
ADRF5532BCPZN
Analog Devices
1:
S/75.90
400 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-ADRF5532BCPZN
Analog Devices
Extremo frontal RF 2.3 GHz to 2.7 GHz, Receiver Front End
400 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/75.90
10
S/64.27
25
S/58.70
100
S/54.18
250
S/52.70
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 400
Detalles
Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
BGA7P220E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/16.54
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BGA7P220E6327XTS
Infineon Technologies
Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
5 En existencias
1
S/16.54
10
S/12.96
25
S/12.11
100
S/11.09
250
Ver
2,000
S/9.07
250
S/10.55
500
S/10.32
1,000
S/9.81
2,000
S/9.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
BGA9H1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.26
1,190 En existencias
12,000 Se espera el 2/09/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BGA9H1BN6E6327XT
Infineon Technologies
Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
1,190 En existencias
12,000 Se espera el 2/09/2026
1
S/2.26
10
S/1.85
25
S/1.74
100
S/1.60
250
Ver
12,000
S/1.11
250
S/1.51
500
S/1.44
1,000
S/1.21
2,500
S/1.17
5,000
S/1.11
12,000
S/1.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :12,000
Detalles
Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
BGB 707L7ESD E6327
Infineon Technologies
1:
S/4.20
685 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-BGB707L7ESDE6327
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
685 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.20
10
S/3.00
25
S/2.70
100
S/2.37
250
Ver
7,500
S/1.92
250
S/2.22
500
S/2.13
1,000
S/2.06
2,500
S/1.97
5,000
S/1.92
7,500
S/1.92
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :7,500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
BLM9D2327-26BZ
Ampleon
1:
S/115.45
1,500 Se espera el 18/09/2026
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser 94-BLM9D2327-26BZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500 Se espera el 18/09/2026
Embalaje alternativo
1
S/115.45
10
S/100.85
25
S/95.76
100
S/88.83
250
S/83.73
500
S/81.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
Amplificador de RF 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
QPA9807TR13
Qorvo
1:
S/31.33
2,500 Se espera el 1/10/2026
N.º de artículo de Mouser 772-QPA9807TR13
Qorvo
Amplificador de RF 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
2,500 Se espera el 1/10/2026
Embalaje alternativo
1
S/31.33
10
S/24.13
25
S/22.34
100
S/20.40
250
Ver
2,500
S/15.92
250
S/18.88
1,000
S/18.29
2,500
S/15.92
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Extremo frontal RF Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
+3 imágenes
PE53111A-Z
pSemi
3,000:
S/25.57
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 81-PE53111A-Z
pSemi
Extremo frontal RF Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
No en existencias
Comprar
Min.: 3,000 Mult.: 3,000
Carrete :3,000
Extremo frontal RF Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
+3 imágenes
PE53211A-Z
pSemi
3,000:
S/29.39
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 81-PE53211A-Z
pSemi
Extremo frontal RF Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
No en existencias
Comprar
Min.: 3,000 Mult.: 3,000
Carrete :3,000
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
B10G2327N55DZ
Ampleon
500:
S/84.55
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 94-B10G2327N55DZ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Comprar
Min.: 500 Mult.: 500
Carrete :500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
B11G2327N71DX
Ampleon
1,500:
S/202.18
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 94-B11G2327N71DX
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1,500 Mult.: 1,500
Carrete :1,500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
BLM9D2327-26BX
Ampleon
2,000:
S/81.82
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 94-BLM9D2327-26BX
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Carrete :2,000
Detalles
Perú
