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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications IAUCN04S7N010GATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.87 3,491En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N010GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N010GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	3,491En existencias	Cinta cortada S/8.87 S/4.98 S/3.79 S/3.07 S/3.01 Envase tipo carrete S/2.67	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,17V5%,SMFBIDIRTVS 4SMF17CA-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/1.91 7,840En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante 4SMF17CA-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-4SMF17CA-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,17V5%,SMFBIDIRTVS	Hoja de datos	7,840En existencias	Cinta cortada S/1.91 S/1.32 S/0.646 S/0.537 Envase tipo carrete S/0.245 Ver S/0.374 S/0.327 S/0.296 S/0.226	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,18V5%,SMFBIDIRTVS 4SMF18CA-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/1.91 6,678En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante 4SMF18CA-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-4SMF18CA-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,18V5%,SMFBIDIRTVS	Hoja de datos	6,678En existencias	Cinta cortada S/1.91 S/1.32 S/0.646 S/0.537 Envase tipo carrete S/0.245 Ver S/0.374 S/0.327 S/0.296 S/0.226	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,20V5%,SMFBIDIRTVS 4SMF20CA-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/1.91 6,915En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante 4SMF20CA-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-4SMF20CA-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,20V5%,SMFBIDIRTVS	Hoja de datos	6,915En existencias	Cinta cortada S/1.91 S/1.32 S/0.646 S/0.537 Envase tipo carrete S/0.245 Ver S/0.374 S/0.327 S/0.296 S/0.226	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 350W,58V5%,SMFBIDIRTVS 4SMF58CAHM3/I Vishay Semiconductors 1: S/1.87 6,969En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante 4SMF58CAHM3/I N.º de artículo de Mouser 78-4SMF58CAHM3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 350W,58V5%,SMFBIDIRTVS	Hoja de datos	6,969En existencias	Cinta cortada S/1.87 S/1.28 S/0.724 S/0.572 Envase tipo carrete S/0.35 Ver S/0.483 S/0.409 S/0.389 S/0.315	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000
Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS DTHP60B07PT Diodes Incorporated 1: S/15.49 171En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante DTHP60B07PT N.º de artículo de Mouser 621-DTHP60B07PT Nuevo producto	Diodes Incorporated	Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes inc dthp60b07pt rectifiers	Hoja de datos	171En existencias	S/15.49 S/10.12	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 18
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS 4SMF10CA-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/1.91 7,927En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante 4SMF10CA-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-4SMF10CA-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS	Hoja de datos	7,927En existencias	Cinta cortada S/1.91 S/1.32 S/0.646 S/0.537 Envase tipo carrete S/0.245 Ver S/0.374 S/0.327 S/0.296 S/0.226	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS 4SMF24CA-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/1.95 7,575En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante 4SMF24CA-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-4SMF24CA-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS	Hoja de datos	7,575En existencias	Cinta cortada S/1.95 S/1.37 S/0.67 S/0.561 Envase tipo carrete S/0.257 Ver S/0.389 S/0.339 S/0.304 S/0.234	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS 4SMF28CA-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/1.95 7,708En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante 4SMF28CA-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-4SMF28CA-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS	Hoja de datos	7,708En existencias	Cinta cortada S/1.95 S/1.37 S/0.67 S/0.561 Envase tipo carrete S/0.257 Ver S/0.389 S/0.339 S/0.304 S/0.234	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000
Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3 MSCSM120XM31RTBL3NG Microchip Technology 1: S/1,161.48 3En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante MSCSM120XM31RTBL3NG N.º de artículo de Mouser 579-SM120XM31RTBL3NG Nuevo producto	Microchip Technology	Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3	Hoja de datos	3En existencias	S/1,161.48	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET SQJ461EP-T1_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/12.92 465En existencias 3,000Se espera el 15/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ461EP-T1_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ461EP-T1_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	465En existencias 3,000Se espera el 15/10/2026	S/12.92 S/8.37 S/5.80 S/4.83 Ver S/4.67 S/4.20	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET SQM100P10-19L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/17.01 702En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQM100P10-19L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM100P10-19L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	702En existencias	S/17.01 S/11.13 S/8.33 S/6.97 Ver S/6.42 S/5.99 S/5.45	Min.: 1 Mult.: 1
Resistores de película fina - SMD TNPW020133K0.5%T-9ET2e3 TNPW020133K0DEEI Vishay / Draloric 1: S/1.75 4,650En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TNPW020133K0DEEI N.º de artículo de Mouser 594-TNPW020133K0DEEI Nuevo producto	Vishay / Draloric	Resistores de película fina - SMD TNPW020133K0.5%T-9ET2e3	Hoja de datos	4,650En existencias	S/1.75 S/0.919 S/0.537 S/0.455 Ver S/0.397 S/0.354 S/0.288 S/0.265 S/0.249	Min.: 1 Mult.: 1
Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L VS-4C12ET07T-M3 Vishay Semiconductors 1: S/15.80 975En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante VS-4C12ET07T-M3 N.º de artículo de Mouser 78-VS-4C12ET07T-M3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay power sic schottky diodes	Hoja de datos	975En existencias	S/15.80 S/9.42 S/7.47 S/6.27 Ver S/5.76 S/5.57 S/5.49	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection,60V,853mA NVNJWS1K6N061LTAG onsemi 1: S/3.50 1,698En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVNJWS1K6N061LTAG N.º de artículo de Mouser 863-VNJWS1K6N061LTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection,60V,853mA Obtenga más información sobre onsemi nvnjws1k6n061l mosfet	Hoja de datos	1,698En existencias	Cinta cortada S/3.50 S/2.49 S/1.55 Envase tipo carrete S/1.55	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 300 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET SQM120P06-07L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/16.39 690En existencias 1,600Se espera el 4/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQM120P06-07L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM120P06-07L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	690En existencias 1,600Se espera el 4/11/2026	S/16.39 S/10.74 S/8.02 S/6.73 S/6.19	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,600
Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) SMD NTC Thermistor 1206 5kOhm 3% B-3455 HT Series B57621C5502H062 TDK 1: S/3.19 2,800En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante B57621C5502H062 N.º de artículo de Mouser 871-B57621C5502H062 Nuevo producto	TDK	Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) SMD NTC Thermistor 1206 5kOhm 3% B-3455 HT Series	Hoja de datos	2,800En existencias	Cinta cortada S/3.19 S/3.01 S/2.45 S/2.30 Ver Envase tipo carrete S/1.66 S/2.24 S/1.96 S/1.88 S/1.66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC034N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.23 1,354En existencias 15,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC034N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	1,354En existencias 15,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC034N08NM7ATMA1 Existencias: 1,354 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 8/10/2026 5,000 Se espera el 1/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/9.23 S/5.14 S/3.97 S/3.19 Envase tipo carrete S/2.36 Ver S/3.11 S/3.05 S/2.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SQJ858AEP-T1_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/7.16 1,905En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ858AEP-T1_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ858AEP-T1_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	1,905En existencias	S/7.16 S/4.44 S/2.91 S/2.28 Ver S/2.01 S/1.70	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SQM120P04-04L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/16.04 700En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQM120P04-04L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM120P04-04L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	700En existencias	S/16.04 S/10.51 S/7.86 S/6.58 Ver S/6.07 S/5.64 S/5.14	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SQM40022EM_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/14.95 690En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQM40022EM_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM40022EM_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	690En existencias	S/14.95 S/9.77 S/7.12 S/5.96 Ver S/5.49 S/5.14 S/4.67	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE AFGB30T65RQDN onsemi 1: S/18.22 737En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante AFGB30T65RQDN N.º de artículo de Mouser 863-AFGB30T65RQDN Nuevo producto	onsemi	IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE Obtenga más información sobre onsemi afgb30t65rqdn igbt	Hoja de datos	737En existencias	Cinta cortada S/18.22 S/11.95 Envase tipo carrete S/11.95	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 67 : 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM NVMFD5877NLWFT1G-UM onsemi 1: S/7.20 1,050En existencias 1,500Se espera el 29/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5877NLWFT1G-UM N.º de artículo de Mouser 863-FD5877NLWFT1G-UM Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5877nl mosfet	Hoja de datos	1,050En existencias 1,500Se espera el 29/12/2026	Cinta cortada S/7.20 S/3.89 S/2.97 Envase tipo carrete S/2.97	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 245 : 1,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL NVTFS5C453NLETAG onsemi 1: S/10.16 828En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVTFS5C453NLETAG N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS5C453NLETAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL Obtenga más información sobre onsemi trench6 nchannel mosfets	Hoja de datos	828En existencias	Cinta cortada S/10.16 S/6.50 Envase tipo carrete S/6.50	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 83 : 1,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET SQD50P06-15L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/9.93 1,072En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQD50P06-15L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQD50P06-15L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	1,072En existencias	S/9.93 S/6.31 S/4.28 S/3.44 Ver S/3.22 S/2.73	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000

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