+ 175 C – Mouser Perú

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz

MASW-011249
MACOM
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MASW-011249

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937-MASW-011249

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Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
1: S/113.54
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IXTX400N20X4

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747-IXTX400N20X4

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IXYS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN04S7N010GATMA1

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726-IAUCN04S7N010GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1: S/14.75
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TPM1R408RH,LQ

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757-TPM1R408RHLQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.14
4,353En existencias
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SQJ463EP-T1_NE3

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78-SQJ463EP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS

4SMF24CA-M3/I
Vishay Semiconductors
1: S/1.95
6,809En existencias
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4SMF24CA-M3/I

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS

4SMF28CA-M3/I
Vishay Semiconductors
1: S/1.95
6,832En existencias
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4SMF28CA-M3/I

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78-4SMF28CA-M3/I

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
2,030En existencias
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SQJ858AEP-T1_NE3

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78-SQJ858AEP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.95
690En existencias
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SQM40022EM_NE3

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78-SQM40022EM_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS

DTHP60B07PT
Diodes Incorporated
1: S/14.40
182En existencias
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DTHP60B07PT

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621-DTHP60B07PT

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Diodes Incorporated

Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS

4SMF10CA-M3/I
Vishay Semiconductors
1: S/1.91
6,948En existencias
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4SMF10CA-M3/I

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
2,113En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

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726-ISC034N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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S/2.91

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IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

AFGB30T65RQDN
onsemi
1: S/18.22
693En existencias
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AFGB30T65RQDN

N.º de artículo de Mouser
863-AFGB30T65RQDN

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onsemi

IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

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S/11.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.08
1,040En existencias
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NVTFS5C453NLETAG

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863-NVTFS5C453NLETAG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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S/10.08

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S/4.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
2,289En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ768ELP-T1_GE3

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78-SQJ768ELP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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2,289En existencias

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S/8.02

S/5.06

S/3.31

S/2.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
361En existencias
10,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
ISC024N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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361En existencias

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S/13.78

S/8.99

S/6.31

S/5.29

S/4.90

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S/4.13

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P06-15L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
1,759En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

1,759En existencias

S/9.93

S/6.31

S/4.28

S/3.44

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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

IMZA75R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/150.06
6En existencias
480En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IMZA75R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R007M2HXKS

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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

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6En existencias

480En pedido

S/150.06

S/122.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)

NVNJWS200N031LTAG
onsemi
1: S/1.99
1,766En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVNJWS200N031LTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VNJWS200N031LTAG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)

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1,766En existencias

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S/1.99

S/1.23

S/0.993

Envase tipo carrete

S/0.993

Min.: 1
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Máx.: 400

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQM120P06-07L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.39
541En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQM120P06-07L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P06-07L_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

541En existencias

S/16.39

S/10.74

S/8.02

S/6.73

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Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

MSCSM120XM31RTBL3NG
Microchip Technology
1: S/1,161.44
3En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
MSCSM120XM31RTBL3NG

N.º de artículo de Mouser
579-SM120XM31RTBL3NG

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Microchip Technology

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

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3En existencias

S/1,161.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.92
1,268En existencias
3,000Se espera el 6/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3

Nuevo producto