Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia para aplicaciones específicas

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1

PSMN1R0-100CSFJ
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PSMN1R0-100CSFJ

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771-PSMN1R0-100CSFJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1

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S/46.55

S/26.16

S/25.38

Envase tipo carrete

S/24.02

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

SOT8005A-12

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1 Channel

100 V

460 A

1.04 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

+ 175 C

1.55 kW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12

PSMNR90-80ASFJ
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1: S/46.44
453En existencias
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S/46.44

S/26.08

S/25.30

Envase tipo carrete

S/23.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT8000A-12

N-Channel

1 Channel

80 V

505 A

850 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

309 nC

- 55 C

+ 175 C

1.55 kW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1

PSMN1R1-100CSEJ
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1: S/45.66
25En existencias
1,000Se espera el 15/06/2027
Nuevo producto

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PSMN1R1-100CSEJ

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S/45.66

S/32.46

S/27.05

S/24.13

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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430 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12

PSMN1R2-80ASEJ
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S/33.51

S/18.22

S/16.74

S/16.47

Envase tipo carrete

S/15.57

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SMD/SMT

CCPAK1212

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1 Channel

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375 A

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3.6 V

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935 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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PSMN1R3-100ASFJ
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1: S/35.27
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S/35.27

S/18.41

S/17.94

S/16.66

Envase tipo carrete

S/15.76

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SMD/SMT

CCPAK1212

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355 A

1.3 mOhms

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255 nC

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+ 175 C

935 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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PSMN1R4-100CSEJ
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245En existencias
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771-PSMN1R4-100CSEJ

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S/32.62

S/22.15

S/16.23

S/15.88

Envase tipo carrete

S/15.03

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

CCPAK1212

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1 Channel

100 V

340 A

1.42 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

244 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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PSMNR90-80CSFJ
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45En existencias
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S/32.15

S/25.30

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S/23.94

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT8000A-12

N-Channel

1 Channel

80 V

505 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

309 nC

- 55 C

+ 175 C

1.55 kW

Enhancement

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PSMN1R1-80ASFJ
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S/23.71

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Envase tipo carrete

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

CCPAK1212

N-Channel

1 Channel

80 V

385 A

1.11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

242 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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PSMN1R1-80CSFJ
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PSMN1R1-80CSFJ

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S/23.71

S/17.44

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S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

CCPAK1212

N-Channel

1 Channel

80 V

385 A

1.16 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

+ 175 C

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PSMN1R4-100CSFJ
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S/33.83

S/23.04

S/16.93

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S/15.57

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SMD/SMT

CCPAK1212

N-Channel

1 Channel

100 V

355 A

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- 20 V, 20 V

4 V

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+ 175 C

935 W

Enhancement

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PSMN1R2-80CSEJ
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PSMN1R2-80CSEJ

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S/21.10

S/16.97

S/15.10

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S/13.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

CCPAK1212

N-Channel

1 Channel

80 V

375 A

1.18 mOhms

- 20 V, 20 V

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233 nC

- 55 C

+ 175 C

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PSMN1R4-100ASEJ
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PSMN1R4-100ASEJ

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771-PSMN1R4-100ASEJ

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S/34.57

S/23.32

S/18.88

S/16.78

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S/15.03

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: 1,000

SMD/SMT

CCPAK1212

N-Channel

1 Channel

100 V

340 A

1.36 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

244 nC

- 55 C

+ 175 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12

PSMNR90-80ASEJ
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2,955Se espera el 13/08/2027
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SOT8000A-12

N-Channel

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495 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

336 nC

- 55 C

+ 175 C

1.55 kW

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