Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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SPB21N50C3
Infineon Technologies
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SPB21N50C3

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726-SPB21N50C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
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260En existencias
NRND

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726-SPW47N65C3

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S/53.37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Infineon Technologies
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SPD04N60C3ATMA1

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726-SPD04N60C3ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3
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NRND

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
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38En existencias
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SPD08N50C3ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA20N60C3
Infineon Technologies
1: S/19.97
559En existencias
NRND

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SPA20N60C3

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726-SPA20N60C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

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S/19.97

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S/8.14

S/7.08

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- 20 V, 20 V

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87 nC

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N60C3
Infineon Technologies
1: S/14.52
413En existencias
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SPA11N60C3

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726-SPA11N60C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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S/14.52

S/7.36

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S/5.88

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
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1,925En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SPD03N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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1,925En existencias

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N.º de artículo del Fabricante
SPP07N60C3XKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB20N60C3
Infineon Technologies
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1,175En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SPB20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Cinta cortada

S/18.10

S/11.95

S/8.45

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

SPW16N50C3
Infineon Technologies
1: S/19.31
330En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW16N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW16N50C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

330En existencias

S/19.31

S/10.86

S/10.28

S/7.51

S/7.47

Min.: 1
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
533En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N60C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

Hoja de datos

533En existencias

S/13.70

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S/5.45

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: S/23.82
168En existencias
3,120En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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168En existencias

3,120En pedido

S/23.82

S/14.05

S/11.13

S/9.89

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1 Channel

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.03
858En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD07N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

858En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.82

S/5.41

S/4.59

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.49
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N.º de artículo del Fabricante
SPP24N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP24N60C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

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S/13.08

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N-Channel

1 Channel

600 V

24.3 A

160 mOhms

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3.9 V

104.9 nC

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240 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA07N60C3
Infineon Technologies
1: S/11.68
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Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA07N60C3

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726-SPA07N60C3

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

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S/11.68

S/9.42

S/6.73

S/6.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

SPW32N50C3
Infineon Technologies
1: S/38.38
2,625En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SPW32N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

2,625En pedido

S/38.38

S/22.58

S/19.11

S/18.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

32 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

284 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N65C3
Infineon Technologies
1: S/13.31
Plazo de entrega 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 11 Semanas

S/13.31

S/6.66

S/6.03

S/4.75

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.54
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPI21N50C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPI21N50C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/19.54

S/12.81

S/9.58

S/7.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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