Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
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S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.20

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

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1 Channel

100 V

130 A

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16 V

2 V

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+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.28
4,973En existencias
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S/20.28

S/13.27

S/9.93

S/8.29

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.20

Min.: 1
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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

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+ 175 C

219 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7L018ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
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S/15.03

S/9.85

S/6.89

S/5.64

S/5.25

Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7L024ATMA1
Infineon Technologies
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S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

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Envase tipo carrete

S/4.40

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

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2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7L033ATMA1
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S/10.20

S/6.58

S/4.52

S/3.59

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Envase tipo carrete

S/3.09

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PG-TDSON-8

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80 V

130 A

3.3 mOhms

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2 V

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+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

IAUCN08S7N036TATMA1
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S/12.38

S/8.06

S/5.57

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Envase tipo carrete

S/3.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

80 V

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3.2 V

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118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
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4,823En existencias
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S/3.30

S/2.18

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

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Mult.: 1

: 5,000

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1 Channel

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN10S7N078ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
6,527En existencias
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S/8.87

S/5.72

S/3.86

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

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PG-TDSON-8

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100 V

76 A

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20 V

3.2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN08S7L177ATMA1
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1: S/5.37
1,234En existencias
5,000Se espera el 29/10/2026
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IAUZN08S7L177ATMA1

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S/5.37

S/3.37

S/2.23

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

35 A

17.7 mOhms

16 V

2 V

11.8 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7N046ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.38
1,717En existencias
5,000Se espera el 1/07/2027
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IAUZN08S7N046ATMA1

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S/9.38

S/6.03

S/4.09

S/3.26

Ver

Envase tipo carrete

S/2.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

20 V

3.2 V

27.2 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.31
5,284En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N019TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N019TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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Hoja de datos

5,284En existencias

Cinta cortada

S/16.31

S/10.70

S/7.51

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-2

N-Channel

1 Channel

80 V

223 A

1.94 mOhms

20 V

3.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

IAUCN08S7N024TATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
5,372En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N024TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N024TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

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Hoja de datos

5,372En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.54

S/6.66

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

186 A

2.44 mOhms

20 V

3.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
5,132En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N045TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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5,132En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.36

S/5.06

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

103 A

4.54 mOhms

20 V

3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.03
29,372En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N016TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N016TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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29,372En pedido

Cinta cortada

S/19.03

S/12.22

S/9.11

S/7.63

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

80 V

262 A

1.63 mOhms

20 V

3.2 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V

IAUTN08S7N007ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.67
3,863En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN08S7N007ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN08S7N007ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V

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3,863En pedido

Cinta cortada

S/33.67

S/23.71

S/19.19

S/17.05

Ver

Envase tipo carrete

S/15.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

539 A

0.75 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

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