Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

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Resultados: 16

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN10S7L040ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.04 4,925En existencias 5,000Se espera el 8/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S7L040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S7L040ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,925En existencias 5,000Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/13.04 S/7.67 S/5.84 S/4.87 S/4.75 Envase tipo carrete S/4.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7 IAUCN08S7N036TATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.34 5,869En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N036TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N036TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5,869En existencias	Cinta cortada S/12.34 S/6.15 S/5.53 S/4.48 S/4.40 Envase tipo carrete S/4.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	LHDSO-10	N-Channel	1 Channel	80 V	129 A	3.6 mOhms	20 V	3.2 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L013ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.96 17,191En existencias 5,000Se espera el 8/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L013ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L013ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	17,191En existencias 5,000Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/18.96 S/9.77 S/8.87 S/7.71 S/7.43 Envase tipo carrete S/7.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	293 A	1.26 mOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	219 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L018ATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.03 3,591En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L018ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L018ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	3,591En existencias	Cinta cortada S/15.03 S/7.59 S/6.89 S/5.64 S/5.41 Envase tipo carrete S/5.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	210 A	1.8 mOhms	20 V	2 V	79.9 nC	- 55 C	+ 175 C	169 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L024ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.16 4,637En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L024ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L024ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,637En existencias	Cinta cortada S/13.16 S/6.58 S/5.96 S/4.83 Ver Envase tipo carrete S/4.40 S/4.75 S/4.59 S/4.40	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	177 A	2.4 mOhms	16 V	2 V	65.2 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L033ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.20 5,088En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L033ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L033ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5,088En existencias	Cinta cortada S/10.20 S/5.02 S/4.52 S/3.59 Ver Envase tipo carrete S/3.13 S/3.51 S/3.35 S/3.13	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.31 5,174En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N019TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N019TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5,174En existencias	Cinta cortada S/16.31 S/8.29 S/7.51 S/6.27 Envase tipo carrete S/5.92	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-2	N-Channel	1 Channel	80 V	223 A	1.94 mOhms	20 V	3.2 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies 1: S/14.60 4,842En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N024TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N024TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,842En existencias	Cinta cortada S/14.60 S/7.36 S/6.66 S/5.41 Envase tipo carrete S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	186 A	2.44 mOhms	20 V	3.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	157 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon Technologies 1: S/11.52 4,892En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N045TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N045TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,892En existencias	Cinta cortada S/11.52 S/5.80 S/5.14 S/4.16 S/3.93 Envase tipo carrete S/3.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	103 A	4.54 mOhms	20 V	3.2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	98 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN08S7L177ATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.68 5,917En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN08S7L177ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN08S7L177ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5,917En existencias	Cinta cortada S/5.68 S/2.65 S/2.36 S/1.84 Envase tipo carrete S/1.29 Ver S/1.69 S/1.53 S/1.16 S/1.15	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	35 A	17.7 mOhms	16 V	2 V	11.8 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN08S7N046ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.93 9,900En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN08S7N046ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN08S7N046ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	9,900En existencias	Cinta cortada S/9.93 S/4.83 S/4.32 S/3.45 Ver Envase tipo carrete S/2.78 S/3.19 S/2.98 S/2.78	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	3.2 V	27.2 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN10S7N078ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.87 4,712En existencias 5,000Se espera el 15/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN10S7N078ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN10S7N078ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,712En existencias 5,000Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/8.87 S/4.32 S/3.86 S/3.07 Ver Envase tipo carrete S/2.59 S/2.97 S/2.78 S/2.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	76 A	7.8 mOhms	20 V	3.2 V	22.2 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN10S7L289ATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.25 4,519En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN10S7L289ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN10S7L289ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,519En existencias	Cinta cortada S/5.25 S/2.45 S/2.18 S/1.69 Envase tipo carrete S/1.27 Ver S/1.67 S/1.58 S/1.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	27 A	28.9 mOhms	16 V	2 V	10.9 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N016TATMA1 Infineon Technologies 1: S/17.83 27,372En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N016TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N016TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	27,372En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IAUCN08S7N016TATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,372 Se espera el 11/11/2026 18,000 Se espera el 26/11/2026 8,000 Se espera el 24/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	Cinta cortada S/17.83 S/9.15 S/8.29 S/7.08 Envase tipo carrete S/6.62	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-3	N-Channel	1 Channel	80 V	262 A	1.63 mOhms	20 V	3.2 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) IAUTN08S7N006ATMA1 Infineon Technologies 1: S/35.42 4,000Se espera el 15/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN08S7N006ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN08S7N006ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,000Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/35.42 S/19.35 S/17.83 S/17.71 S/16.23 Envase tipo carrete S/14.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	905 A	0.29 mOhms	20 V	3 V	268 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V IAUTN08S7N007ATMA1 Infineon Technologies 1: S/33.01 3,900Se espera el 15/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN08S7N007ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN08S7N007ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	3,900Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/33.01 S/17.91 S/16.47 S/16.15 Envase tipo carrete S/15.06	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	539 A	0.75 mOhms	20 V	3.2 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

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