Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package STD12N60DM6 STMicroelectronics 1: S/11.48 2,358En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD12N60DM6 N.º de artículo de Mouser 511-STD12N60DM6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	2,358En existencias	Cinta cortada S/11.48 S/5.84 S/5.10 S/4.16 S/3.84 Envase tipo carrete S/3.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	390 mOhms	25 V	4.75 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET SH68N65DM6AG STMicroelectronics 1: S/79.41 171En existencias	N.º de artículo del Fabricante SH68N65DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-SH68N65DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	171En existencias	Cinta cortada S/79.41 S/50.64 S/47.92 Envase tipo carrete S/47.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 200	Si			N-Channel		650 V	64 A	35 mOhms								AQG 324		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H STL52N60DM6 STMicroelectronics 1: S/27.64 1,439En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL52N60DM6 N.º de artículo de Mouser 511-STL52N60DM6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	1,439En existencias	Cinta cortada S/27.64 S/18.49 S/16.31 S/13.23 S/11.91 Envase tipo carrete S/11.68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5	N-Channel	1 Channel	600 V	45 A	84 mOhms	25 V	4.75 V	52 nC	- 55 C	+ 150 C	174 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea STWA75N65DM6 STMicroelectronics 1: S/61.23 388En existencias	N.º de artículo del Fabricante STWA75N65DM6 N.º de artículo de Mouser 511-STWA75N65DM6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	388En existencias	S/61.23 S/40.68 S/35.58 S/33.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	36 mOhms	25 V	4.75 V	118 nC	- 55 C	+ 150 C	480 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STHU32N65DM6AG STMicroelectronics 1: S/25.46 1,200En existencias	N.º de artículo del Fabricante STHU32N65DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-STHU32N65DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	1,200En existencias	Cinta cortada S/25.46 S/13.94 S/12.73 Envase tipo carrete S/11.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	37 A	97 mOhms	25 V	4.75 V	52.6 nC	- 55 C	+ 150 C	320 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package STW75N65DM6-4 STMicroelectronics 1: S/62.20 525En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW75N65DM6-4 N.º de artículo de Mouser 511-STW75N65DM6-4	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	525En existencias	S/62.20 S/41.26 S/36.12 S/34.02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	36 mOhms	25 V	4.75 V	118 nC	- 55 C	+ 150 C	480 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag STP45N60DM6 STMicroelectronics 1: S/30.32 798En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP45N60DM6 N.º de artículo de Mouser 511-STP45N60DM6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	798En existencias	S/30.32 S/18.80 S/16.31 S/14.52 S/13.39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	99 mOhms	25 V	3.25 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	210 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package STD15N60DM6 STMicroelectronics 1: S/11.68 505En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD15N60DM6 N.º de artículo de Mouser 511-STD15N60DM6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	505En existencias	Cinta cortada S/11.68 S/5.80 S/5.22 S/4.20 S/4.09 Envase tipo carrete S/3.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	338 mOhms	25 V	4.75 V	15.3 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag STW45N60DM6 STMicroelectronics 1: S/34.84 312En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW45N60DM6 N.º de artículo de Mouser 511-STW45N60DM6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	312En existencias	S/34.84 S/18.61 S/17.13 S/16.39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	99 mOhms	25 V	3.25 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	210 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET SH32N65DM6AG STMicroelectronics 1: S/71.78 45En existencias	N.º de artículo del Fabricante SH32N65DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-SH32N65DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	45En existencias	Cinta cortada S/71.78 S/47.80 S/36.67 Envase tipo carrete S/36.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 200	Si			N-Channel		650 V	32 A	89 mOhms								AQG 324		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STW68N65DM6-4AG STMicroelectronics 1: S/55.47 7En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW68N65DM6-4AG N.º de artículo de Mouser 511-STW68N65DM6-4AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	7En existencias	S/55.47 S/32.66 S/30.36 S/28.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	72 A	39 mOhms	25 V	4.75 V	118 nC	- 55 C	+ 150 C	480 W	Enhancement	AEC-Q101	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STB47N50DM6AG STMicroelectronics 1: S/29.04 1,943Se espera el 2/04/2027	N.º de artículo del Fabricante STB47N50DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-STB47N50DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	1,943Se espera el 2/04/2027	Cinta cortada S/29.04 S/15.84 S/14.48 S/12.96 Envase tipo carrete S/12.22	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	38 A	71 mOhms	25 V	3 V	57 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	AEC-Q101	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STB47N60DM6AG STMicroelectronics 1: S/32.89 1,000Se espera el 29/01/2027	N.º de artículo del Fabricante STB47N60DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-STB47N60DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	1,000Se espera el 29/01/2027	Cinta cortada S/32.89 S/17.91 S/16.43 S/15.76 Envase tipo carrete S/13.97	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	36 A	80 mOhms	25 V	3 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	AEC-Q101	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STI47N60DM6AG STMicroelectronics 1: S/30.91 11En existencias	N.º de artículo del Fabricante STI47N60DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-STI47N60DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	11En existencias	S/30.91 S/16.78 S/15.38 S/13.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	I2PAK-3	N-Channel	1 Channel	600 V	36 A	80 mOhms	25 V	4.75 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	AEC-Q101	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STB30N65DM6AG STMicroelectronics 1: S/28.61 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STB30N65DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-STB30N65DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Cinta cortada S/28.61 S/15.34 S/14.05 S/13.35 Envase tipo carrete S/12.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	115 mOhms	25 V	4.75 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STHU36N60DM6AG STMicroelectronics 600: S/10.70 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STHU36N60DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-STHU36N60DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	Envase tipo carrete S/10.70	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	29 A	99 mOhms	25 V	4.75 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	210 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STHU47N60DM6AG STMicroelectronics 600: S/12.57 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STHU47N60DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-STHU47N60DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	Envase tipo carrete S/12.57	Min.: 600 Mult.: 600 : 600	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	36 A	80 Ohms	25 V	4.75 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics 1,000: S/13.27 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STH30N65DM6-7AG N.º de artículo de Mouser 511-STH30N65DM6-7AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Envase tipo carrete S/13.27	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	115 mOhms	25 V	4.75 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101	MDmesh	Reel

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