Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs

Nexperia PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs are designed for high-efficiency power management in various applications. These Nexperia MOSFETs feature low on-state resistance [R_DS(on)], ranging from 2.8mΩ to 14mΩ, and support 60V and 100V drain-source voltages (V_DS). These MOSFETs are optimized for logic level compatibility and are suitable for secondary side synchronous rectification, DC-to-DC converters, motor drives, load switching, and LED lighting. These MOSFETs are housed in thermally efficient MLPAK33 and MLPAK56 packages, which offer a compact footprint and enhanced thermal performance. With features like low gate charge (Qg) and high avalanche ruggedness, the PXNx series ensures reliable operation in demanding environments.

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN011-60QLA/SOT8002/MLPAK33 PXN011-60QLAJ Nexperia 1: S/3.08 30En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN011-60QLAJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN011-60QLAJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN011-60QLA/SOT8002/MLPAK33	Hoja de datos	30En existencias	Cinta cortada S/3.08 S/2.53 S/1.81 S/1.25 Envase tipo carrete S/0.938 Ver S/1.05 S/0.814 S/0.747 S/0.646 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK33-8	N-Channel	1 Channel	60 V	46 A	11 mOhms	20 V	2.2 V	7.8 nC	- 55 C	+ 150 C	47 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN2R8-100RL/SOT8038/MLPAK56 PXN2R8-100RLJ Nexperia 1: S/11.91 35En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN2R8-100RLJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN2R8-100RLJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN2R8-100RL/SOT8038/MLPAK56	Hoja de datos	35En existencias	Cinta cortada S/11.91 S/5.92 S/5.33 S/4.83 Envase tipo carrete S/4.52 Ver S/4.67 S/3.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK56-8	N-Channel	1 Channel	100 V	184 A	2.8 mOhms	20 V	2.2 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33 PXN6R2-60QLAJ Nexperia 1: S/4.13 250En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN6R2-60QLAJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN6R2-60QLAJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33	Hoja de datos	250En existencias	Cinta cortada S/4.13 S/1.90 S/1.68 S/1.51 Envase tipo carrete S/1.21 Ver S/1.38 S/1.09 S/1.04 S/0.915 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK33-8	N-Channel	1 Channel	60 V	77 A	6.2 mOhms	20 V	2.2 V	14.1 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R8-60QLA/SOT8002/MLPAK33 PXN6R8-60QLAJ Nexperia 1: S/3.85 220En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN6R8-60QLAJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN6R8-60QLAJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R8-60QLA/SOT8002/MLPAK33	Hoja de datos	220En existencias	Cinta cortada S/3.85 S/2.41 S/1.57 S/1.53 Envase tipo carrete S/1.29 Ver S/1.39 S/1.12 S/1.03 S/0.887 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK33-8	N-Channel	1 Channel	60 V	70 A	6.8 mOhms	20 V	2.2 V	12.3 nC	- 55 C	+ 150 C	66 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN7R7-60QLA/SOT8002/MLPAK33 PXN7R7-60QLAJ Nexperia 1: S/3.58 238En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN7R7-60QLAJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN7R7-60QLAJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN7R7-60QLA/SOT8002/MLPAK33		238En existencias	Cinta cortada S/3.58 S/2.24 S/1.45 S/1.39 Envase tipo carrete S/1.16 Ver S/1.28 S/1.01 S/0.93 S/0.802 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK33-8	N-Channel	1 Channel	60 V	62 A	7.7 mOhms	20 V	2.2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN9R1-60QLA/SOT8002/MLPAK33 PXN9R1-60QLAJ Nexperia 1: S/3.31 207En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN9R1-60QLAJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN9R1-60QLAJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN9R1-60QLA/SOT8002/MLPAK33	Hoja de datos	207En existencias	Cinta cortada S/3.31 S/2.05 S/1.74 S/1.37 Envase tipo carrete S/1.04 Ver S/1.16 S/0.895 S/0.825 S/0.712 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK33-8	N-Channel	1 Channel	60 V	56 A	9.1 mOhms	20 V	2.2 V	9.3 nC	- 55 C	+ 150 C	56 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN014-60QLA/SOT8002/MLPAK33 PXN014-60QLAJ Nexperia 1: S/4.63 5En existencias 3,000Se espera el 24/09/2027 Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN014-60QLAJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN014-60QLAJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN014-60QLA/SOT8002/MLPAK33	Hoja de datos	5En existencias 3,000Se espera el 24/09/2027	Cinta cortada S/4.63 S/1.25 S/1.10 S/0.833 Envase tipo carrete S/0.634 Ver S/0.553 S/0.518 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK33-8	N-Channel	1 Channel	60 V	39 A	14 mOhms	20 V	2.2 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	43 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN5R7-60QLA/SOT8002/MLPAK33 PXN5R7-60QLAJ Nexperia 1: S/4.40 3,000Se espera el 27/08/2027 Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante PXN5R7-60QLAJ N.º de artículo de Mouser 771-PXN5R7-60QLAJ Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN5R7-60QLA/SOT8002/MLPAK33	Hoja de datos	3,000Se espera el 27/08/2027	Cinta cortada S/4.40 S/2.04 S/1.80 S/1.39 Envase tipo carrete S/1.09 Ver S/1.35 S/1.04 S/1.02 S/0.946 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	MLPAK33-8	N-Channel	1 Channel	60 V	83 A	5.7 mOhms	20 V	2.2 V	16.5 nC	- 55 C	+ 150 C	79 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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