Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.

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Resultados: 7

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M31HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/12.42
2,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8M31HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M31HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Hoja de datos

2,005En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/6.19

S/5.57

S/4.52

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

4.5 A

65 mOhms, 70 mOhms

20 V

3 V, 3 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M3HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/8.76
2,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8M3HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M3HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Hoja de datos

2,330En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/4.24

S/3.67

S/3.02

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A, 5 A

51 mOhms, 56 mOhms

20 V

2.5 V, 2.5 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M4HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/11.21
2,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8M4HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M4HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Hoja de datos

2,623En existencias

Cinta cortada

S/11.21

S/6.58

S/5.64

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7 A, 9 A

18 mOhms, 28 mOhms

20 V

2.5 V, 2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M21HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/14.79
4,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8M21HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M21HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Hoja de datos

4,382En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.69

S/6.77

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

45 V

4 A, 6 A

25 mOhms, 46 mOhms

20 V

2.5 V, 2.5 V

21.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M41HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.77
821En existencias
2,500Se espera el 26/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SP8M41HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M41HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Hoja de datos

821En existencias

2,500Se espera el 26/01/2027

Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.28

S/3.42

S/3.15

Envase tipo carrete

S/2.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V

2.6 A, 3.4 A

130 mOhms, 240 mOhms

20 V

2.5 V, 2.5 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M51HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.93
970En existencias
5,000Se espera el 8/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SP8M51HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M51HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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Hoja de datos

970En existencias

5,000Se espera el 8/01/2027

Cinta cortada

S/9.93

S/4.87

S/4.44

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

2.5 A, 3 A

170 mOhms, 290 mOhms

20 V

2.5 V, 2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

SP8M6HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/8.33
691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8M6HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M6HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

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691En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/4.05

S/3.63

S/2.94

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A, 5 A

51 mOhms, 90 mOhms

20 V

2.5 V, 2.5 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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