Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 860En existencias
Cinta cortada
S/ 26.59
S/ 14.13
S/ 12.92
S/ 11.95
Envase tipo carrete
S/ 10.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-3-2 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 670 mOhms 20 V 3 V 88 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE 4,911En existencias
Cinta cortada
S/ 8.37
S/ 4.05
S/ 3.61
S/ 2.96
Envase tipo carrete
S/ 2.48
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.7 Ohms 20 V 3 V 16 nC - 40 C + 150 C 42 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
S/ 32.74
S/ 17.28
S/ 15.10
S/ 13.86
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 4 V 117 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube