EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1,401En existencias
S/8.45
S/4.09
S/3.65
S/2.90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1,533En existencias
S/7.43
S/3.55
S/3.17
S/2.51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1,893En existencias
S/7.43
S/3.55
S/3.17
S/2.51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1,838En existencias
S/6.23
S/2.95
S/2.63
S/2.06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1,908En existencias
S/6.23
S/2.95
S/2.63
S/2.06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1,425En existencias
S/6.07
S/2.86
S/2.54
S/1.99
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
981En existencias
S/5.49
S/2.57
S/2.28
S/1.78
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
445En existencias
S/8.37
S/5.33
S/3.60
S/2.87
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement