Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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N.º de artículo de Mouser
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Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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CoolMOS
Tube
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
63 En existencias
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Detalles
Si
Through Hole
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,217 En existencias
1
S/4.94
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Detalles
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
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2,445 En existencias
17,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,445 En existencias
17,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
2,445 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 28/01/2027
15,000 Se espera el 11/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
1
S/6.85
10
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2,500
S/1.42
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Min.: 1
Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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1 Channel
600 V
9 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
1:
S/4.83
4,613 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,613 En existencias
1
S/4.83
10
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S/2.14
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S/1.26
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S/0.961
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
700 V
4 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
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75 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
75 En existencias
1
S/7.01
10
S/3.83
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Min.: 1
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Si
Through Hole
TO-220-3
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
1:
S/8.52
571 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
571 En existencias
1
S/8.52
10
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S/1.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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Si
Through Hole
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+ 150 C
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
1:
S/4.28
126 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
126 En existencias
1
S/4.28
10
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100
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Ver
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S/0.712
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.7 A
2.1 Ohms
- 20 V, 20 V
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6.7 nC
- 40 C
+ 150 C
38 W
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CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.86
2,806 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,806 En existencias
1
S/7.86
10
S/4.87
100
S/2.59
500
S/2.06
1,000
S/1.84
2,500
S/1.63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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1 Channel
650 V
15.1 A
400 mOhms
- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 150 C
118 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.89
1,737 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1,737 En existencias
1
S/3.89
10
S/2.77
100
S/1.72
500
S/1.19
3,000
S/0.864
6,000
Ver
1,000
S/1.02
6,000
S/0.732
9,000
S/0.685
24,000
S/0.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
3.51 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
9.4 nC
- 40 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.16
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Plazo de entrega 8 Semanas
1
S/7.16
10
S/4.44
100
S/2.90
500
S/2.28
2,500
S/1.67
5,000
Ver
1,000
S/1.95
5,000
S/1.53
10,000
S/1.49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
10.1 A
650 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/8.21
1,490 Se espera el 10/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1,490 Se espera el 10/12/2026
1
S/8.21
10
S/5.14
100
S/3.38
500
S/2.68
1,000
Ver
1,000
S/2.38
2,500
S/2.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.03
2,462 Se espera el 1/10/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,462 Se espera el 1/10/2026
1
S/6.03
10
S/3.71
100
S/2.44
500
S/1.92
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S/1.39
5,000
Ver
1,000
S/1.64
5,000
S/1.26
10,000
S/1.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.9 A
540 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20.5 nC
- 40 C
+ 150 C
82 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel