Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.

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Resultados: 17

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: S/3.19
544,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K341NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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544,504En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.697

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

SSM6J808R,LF
Toshiba
1: S/3.78
24,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J808R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

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24,397En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.35

S/1.53

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.915

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Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)

SSM6K804R,LF
Toshiba
1: S/4.48
9,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K804R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K804RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)

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Cinta cortada

S/4.48

S/2.83

S/1.85

S/1.43

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

SSM6K818R,LF
Toshiba
1: S/4.48
11,748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K818R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K818RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

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S/4.48

S/2.83

S/1.85

S/1.43

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F

SSM6L807R,LF
Toshiba
1: S/3.31
11,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L807R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L807RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F

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Cinta cortada

S/3.31

S/2.11

S/1.35

S/1.02

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Mult.: 1

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

SSM6J825R,LF
Toshiba
1: S/2.34
11,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J825R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J825RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

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S/2.34

S/1.45

S/0.923

S/0.697

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

SSM6K824R,LF
Toshiba
1: S/2.61
11,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K824R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K824RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

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Cinta cortada

S/2.61

S/1.62

S/1.04

S/0.782

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Mult.: 1

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

SSM6P816R,LF
Toshiba
1: S/3.11
11,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P816R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P816RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

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Cinta cortada

S/3.11

S/1.94

S/1.25

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.845

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM6K361NU,LF
Toshiba
1: S/3.11
64,490En existencias
105,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K361NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K361NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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105,000Se espera el 28/08/2026

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S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: S/5.02
14,763En existencias
3,000Se espera el 4/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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14,763En existencias

3,000Se espera el 4/08/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.50

S/2.21

S/1.37

Envase tipo carrete

S/0.899

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

60 V

650 mA

1.8 Ohms

- 12 V, 12 V

1.3 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFE,LF
Toshiba
1: S/1.48
88,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/1.48

S/0.915

S/0.576

S/0.428

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

SSM6N815R,LF
Toshiba
1: S/3.11
59,327En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N815R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N815RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

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59,327En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

100 V

2 A

84 mOhms, 84 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

SSM6J216FE,LF
Toshiba
1: S/2.80
2,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J216FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J216FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

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Hoja de datos

2,774En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.12

S/0.852

Envase tipo carrete

S/0.572

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4.8 A

26 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM6J801R,LF
Toshiba
1: S/1.95
896En existencias
3,000Se espera el 4/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J801R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J801RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

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Hoja de datos

896En existencias

3,000Se espera el 4/12/2026

Cinta cortada

S/1.95

S/1.19

S/0.755

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

32.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFU,LF
Toshiba
1: S/1.95
2,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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Hoja de datos

2,240En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/1.19

S/0.755

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms, 750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/2.02
2,714En existencias
12,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P15FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

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Comentarios de Producto

2,714En existencias

12,000Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/2.02

S/1.25

S/0.798

S/0.599

Envase tipo carrete

S/0.393

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.7 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q100

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F

SSM6K819R,LF
Toshiba
1: S/4.32
4,873Se espera el 2/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K819R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F

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Hoja de datos

4,873Se espera el 2/10/2026

Cinta cortada

S/4.32

S/2.71

S/1.77

S/1.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Reel

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

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