Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

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Resultados: 15

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: S/7.12
3,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P03P4L11ATMA2

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726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/7.12

S/4.05

S/2.85

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

13 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: S/12.14
16,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.14

S/7.86

S/5.41

S/4.52

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.1 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.62
4,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

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4,916En existencias

Cinta cortada

S/16.62

S/10.86

S/8.10

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.31

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.58
3,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P4L03ATMA2

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726-IPB120P04P4L03A2

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S/16.58

S/10.86

S/8.10

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.31

S/5.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4 mOhms

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+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P403ATMA2
Infineon Technologies
1: S/19.19
3,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P403ATMA2

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726-IPB180P04P403ATM

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S/19.19

S/12.57

S/9.38

S/7.82

Envase tipo carrete

S/7.28

S/6.81

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: S/19.54
1,796En existencias
2,000Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

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1,796En existencias

2,000Se espera el 7/08/2026

Cinta cortada

S/19.54

S/12.81

S/9.54

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.40

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

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1.7 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P413ATMA2
Infineon Technologies
1: S/7.79
3,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P413ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P413ATM

Infineon Technologies

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3,539En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.90

S/3.23

S/2.56

Envase tipo carrete

S/2.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.25
20,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P4L11ATMA2

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726-IPD50P04P4L11AT2

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S/8.25

S/5.18

S/3.41

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

12.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.87
13,213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80P03P4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80P03P4L07AT2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/8.87

S/5.61

S/3.80

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

8.7 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/11.33
2,141En existencias
2,500Se espera el 13/08/2026

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IPD90P03P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

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2,141En existencias

2,500Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/11.33

S/7.43

S/5.18

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: S/12.26
6,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

Infineon Technologies

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6,710En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.90

S/5.41

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: S/11.41
3,609En existencias
7,500Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

3,609En existencias

7,500Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/11.41

S/7.12

S/5.25

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.74

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: S/14.56
1,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,749En existencias

Cinta cortada

S/14.56

S/9.46

S/6.62

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.14

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.45
2,616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2,616En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.37

S/3.62

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.80
23En existencias
7,500Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P4L08ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

23En existencias

7,500Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/8.80

S/5.33

S/3.66

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

9.5 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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