Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS^®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a +175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: S/6.62
3,765En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P03P4L11ATMA2

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726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/6.62

S/3.14

S/2.66

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

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50 A

13 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

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58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: S/11.37
15,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/11.37

S/5.61

S/5.06

S/4.09

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.63

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.1 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.30
4,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

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726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/15.30

S/7.75

S/7.01

S/5.76

Envase tipo carrete

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TO-263-3

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120 A

2.9 mOhms

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158 nC

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136 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
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2,409En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P4L03ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P4L03A2

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S/15.26

S/7.75

S/7.01

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.41

MouseReel Disponible

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P-Channel

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120 A

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136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P403ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.97
3,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P403ATM

Infineon Technologies

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S/16.97

S/8.68

S/7.86

S/6.66

Envase tipo carrete

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1 Channel

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180 A

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20 V

3 V

190 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: S/17.79
2,795En existencias
4,000Se espera el 8/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

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S/17.79

S/9.34

S/8.45

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

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TO-263-7

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180 A

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220 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P4L11ATMA2
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P4L11AT2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.05

S/3.36

S/2.99

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

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50 A

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1.7 V

45 nC

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58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
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7,417En existencias

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IPD70P04P4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P4L08ATM

Infineon Technologies

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S/7.94

S/5.06

S/3.41

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.22

Ver

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

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70 A

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1.7 V

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75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.06
13,209En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80P03P4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80P03P4L07AT2

Infineon Technologies

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S/8.06

S/4.67

S/3.23

S/2.65

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

8.7 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/11.13
4,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P404ATM2

Infineon Technologies

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S/11.13

S/5.61

S/4.98

S/4.09

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.63

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.5 mOhms

20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.35
2,339En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2,339En existencias

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Cinta cortada

S/10.35

S/5.49

S/4.79

S/3.93

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.53

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.7 mOhms

20 V

3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.55
7,829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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7,829En existencias

Cinta cortada

S/10.55

S/5.68

S/4.90

S/4.05

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P413ATMA2
Infineon Technologies
1: S/6.77
7,878En existencias
2,500Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P413ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P413ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

7,878En existencias

2,500Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/6.77

S/3.21

S/2.86

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.2 mOhms

20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: S/7.79
2,579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2,579En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/3.73

S/3.33

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

IAUCP04P4L020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.22
1,000Se espera el 29/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCP04P4L020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4L020ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

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Hoja de datos

1,000Se espera el 29/09/2026

Cinta cortada

S/15.22

S/9.93

S/7.24

S/6.07

Ver

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

P-Channel

1 Channel

40 V

264 A

2 mOhms

- 5 V, 16 V

2.2 V

202 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

IAUCP04P4L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
1,000Se espera el 29/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCP04P4L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4L040ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

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Hoja de datos

1,000Se espera el 29/09/2026

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.67

S/3.97

Envase tipo carrete

S/2.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

P-Channel

1 Channel

40 V

163 A

3.7 mOhms

- 5 V, 16 V

2.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

IAUCP04P4L100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
1,000Se espera el 29/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCP04P4L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4L100ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

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Hoja de datos

1,000Se espera el 29/09/2026

Cinta cortada

S/6.81

S/4.28

S/2.80

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

10.5 mOhms

- 5 V, 16 V

2.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

IAUCP04P4N020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.22
1,000Se espera el 29/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCP04P4N020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4N020ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

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Hoja de datos

1,000Se espera el 29/09/2026

Cinta cortada

S/15.22

S/9.93

S/7.24

S/6.07

Ver

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

P-Channel

1 Channel

40 V

248 A

2.3 mOhms

20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

IAUCP04P4N040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
1,000Se espera el 29/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCP04P4N040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4N040ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

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1,000Se espera el 29/09/2026

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.67

S/3.97

Envase tipo carrete

S/2.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

P-Channel

1 Channel

40 V

151 A

4.3 mOhms

20 V

4 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

IAUCP04P4N120ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
1,000Se espera el 29/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCP04P4N120ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4N120ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package

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Hoja de datos

1,000Se espera el 29/09/2026

Cinta cortada

S/6.81

S/4.28

S/2.80

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

P-Channel

1 Channel

40 V

64 A

12.5 mOhms

20 V

4 V

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- 55 C

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