BUK9Mx & BUK9Yx Automotive ASFETs for Airbags

Nexperia BUK9Mx and BUK9Yx Automotive ASFETs for Airbag Applications provide space-saving efficiency (53% for LFPAK56, 84% for LFPAK33) compared to standard DPAK packages. The AEC-Q101 qualified ASFETs offer reliability in airbag deployment conditions. These Application-Specific MOSFETS (ASFETs) address the specialized needs of airbag applications, focused on enhanced safe operating area (SOA) performance for improved linear mode.

Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
7,211En existencias
Cinta cortada
S/9.23
S/4.87
S/3.97
S/3.19
Envase tipo carrete
S/2.81
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 5.6 mOhms 10 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R0-60EL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2,181En existencias
Cinta cortada
S/10.16
S/4.98
S/4.48
S/3.58
Envase tipo carrete
S/3.24
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 125 A 4.5 mOhms 10 V 2.1 V 109 nC - 55 C + 175 C 238.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M20-60EL/SOT1210/mLFPAK
Hoja de datos
1,656En existencias
Cinta cortada
S/7.43
S/3.86
S/3.30
S/1.80
Envase tipo carrete
S/1.52
S/1.51
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13 mOhms 10 V 2.1 V 40 nC - 55 C + 175 C 79.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M31-60EL/SOT1210/mLFPAK
Hoja de datos
1,525En existencias
Cinta cortada
S/4.75
S/2.20
S/1.95
S/1.51
Envase tipo carrete
S/1.25
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 21 mOhms 10 V 2.05 V 12.8 nC - 55 C + 175 C 70.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M67-60EL/SOT1210/mLFPAK
Hoja de datos
1,701En existencias
Cinta cortada
S/4.09
S/2.86
S/1.91
S/1.50
Envase tipo carrete
S/0.895
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 44 mOhms 10 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y13-60EL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2,820En existencias
Cinta cortada
S/7.75
S/3.71
S/3.27
S/2.46
Envase tipo carrete
S/2.13
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 7.9 mOhms 58 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y22-60EL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2,587En existencias
Cinta cortada
S/6.23
S/3.84
S/2.53
S/1.99
Envase tipo carrete
S/1.54
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms 10 V 2.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel