Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.47
1,661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT063N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT063N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

1,661En existencias

Cinta cortada

S/23.47

S/12.92

S/11.21

S/10.08

Envase tipo carrete

S/10.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

122 A

6.3 mOhms

20 V

4.6 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.78
1,953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT039N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT039N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

1,953En existencias

Cinta cortada

S/26.78

S/14.29

S/13.04

S/12.26

S/11.56

Envase tipo carrete

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

4.3 mOhms

20 V

4.6 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.73
2,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT044N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT044N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

2,467En existencias

Cinta cortada

S/25.73

S/13.66

S/12.49

S/11.60

S/10.78

Envase tipo carrete

S/10.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

174 A

4.4 mOhms

20 V

4.6 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.30
2,640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT054N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT054N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

2,640En existencias

Cinta cortada

S/25.30

S/13.39

S/12.22

S/11.33

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

143 A

5.4 mOhms

20 V

4.6 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.00
404En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP076N15N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N15N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

404En existencias

1,500En pedido

S/19.00

S/11.29

S/9.11

S/7.55

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

112 A

7.6 mOhms

20 V

4.6 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC093N15NS5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.77
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N15NS5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-S93N15NS5SCATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

4,000En pedido

Cinta cortada

S/19.77

S/10.24

S/9.30

S/8.45

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

89 A

9.3 mOhms

20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IQD063N15NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.23
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IQD063N15NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD063N15NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/22.23

S/14.87

S/12.03

S/11.41

S/11.33

Envase tipo carrete

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

150 V

148 A

6.32 Ohms

10 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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