Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.73
3,872 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
3,872 En existencias
1
S/25.73
10
S/17.28
100
S/12.49
500
S/11.60
1,000
S/10.82
2,000
S/10.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/24.44
1,661 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,661 En existencias
1
S/24.44
10
S/16.39
100
S/12.34
500
S/11.13
1,000
S/10.12
2,000
S/10.12
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
122 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.78
2,615 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,615 En existencias
1
S/26.78
10
S/18.02
100
S/13.04
500
S/12.26
1,000
S/11.44
2,000
S/11.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
150 V
190 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
78 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.30
2,640 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,640 En existencias
1
S/25.30
10
S/16.97
100
S/12.22
500
S/11.33
1,000
S/10.59
2,000
S/10.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
143 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/18.41
465 En existencias
500 Se espera el 25/02/2027
N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
465 En existencias
500 Se espera el 25/02/2027
1
S/18.41
10
S/9.46
100
S/8.60
500
S/7.05
1,000
S/6.93
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
112 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IQD063N15NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.23
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser 726-IQD063N15NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/22.23
10
S/14.87
100
S/12.03
500
S/11.41
1,000
S/11.33
5,000
S/10.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
150 V
148 A
6.32 Ohms
- 10 V, 10 V
3 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Perú