Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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S/8.91
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N.º de artículo de Mouser 726-BSZ021N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
8,908 En existencias
1
S/8.91
10
S/5.61
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S/3.67
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S/2.92
5,000
S/2.27
10,000
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S/2.59
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S/2.37
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S/2.20
25,000
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Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
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+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
IQE020N04LM6CGATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
3,500 En existencias
1
S/10.70
10
S/6.89
100
S/4.67
500
S/3.97
1,000
Ver
5,000
S/2.91
1,000
S/3.52
2,500
S/3.33
5,000
S/2.91
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Si
SMD/SMT
TTFN-9
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1 Channel
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166 A
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2.3 V
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+ 175 C
107 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
IQE020N04LM6CGSCATMA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
4,193 En existencias
1
S/11.99
10
S/7.71
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S/3.39
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Si
SMD/SMT
WTFN-9
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
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95,000 Se espera el 27/05/2027
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52 Semanas
1
S/7.28
10
S/4.52
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S/2.30
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Si
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC010N04LS6ATMA1
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S/10.00
3,211 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
3,211 En existencias
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10,000 Se espera el 11/02/2027
20,000 Se espera el 25/02/2027
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52 Semanas
1
S/10.00
10
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S/3.05
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S/3.05
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Si
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TDSON-FL-8
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100 A
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC059N04LS6ATMA1
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S/6.73
19,743 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-BSC059N04LS6ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
19,743 En existencias
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20,000 Se espera el 13/08/2026
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52 Semanas
1
S/6.73
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S/2.16
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S/1.39
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Si
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TDSON-FL-8
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.97
12,541 En existencias
20,000 Se espera el 11/03/2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
12,541 En existencias
20,000 Se espera el 11/03/2027
1
S/6.97
10
S/5.68
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5,000
S/3.02
1,000
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S/3.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
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2.1 mOhms
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- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.75
40,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC007N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
40,000 En pedido
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En pedido:
25,000 Se espera el 31/12/2026
15,000 Se espera el 7/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/20.75
10
S/13.12
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S/9.65
500
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1,000
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5,000
S/7.05
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
381 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.37
28,336 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ024N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
28,336 En pedido
Ver fechas
En pedido:
8,336 Se espera el 20/08/2026
15,000 Se espera el 15/10/2026
5,000 Se espera el 28/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/8.37
10
S/5.25
100
S/3.46
500
S/2.74
1,000
Ver
5,000
S/2.06
1,000
S/2.44
2,500
S/2.23
5,000
S/2.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.79
169,119 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ063N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
169,119 En pedido
Ver fechas
En pedido:
29,119 Se espera el 1/04/2027
50,000 Se espera el 3/06/2027
90,000 Se espera el 17/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/4.79
10
S/3.06
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S/2.14
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S/1.77
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Ver
5,000
S/1.14
1,000
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2,500
S/1.47
5,000
S/1.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
9.5 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú