NVBLS1D7N10MCTXG

onsemi
863-NVBLS1D7N10MCTXG
NVBLS1D7N10MCTXG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
H-PSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
265 A
1.8 mOhms
20 V
4 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
303 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 220 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 38 ns
Serie: NVBLS1D7N10MC
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 76 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 48 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET supplies a high thermal performance and low RDS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D7N10MCTXG is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.

En existencias: 1,732

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/30.87 S/30.87
S/20.90 S/209.00
S/15.26 S/1,526.00
S/14.75 S/7,375.00
S/13.94 S/13,940.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
S/13.94 S/27,880.00

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