TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and Rg tested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4,964En existencias
Cinta cortada
S/6.54
S/3.10
S/2.76
S/2.17
Envase tipo carrete
S/1.80
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 4 A, 5.4 A 28 mOhms, 73 mOhms 20 V 1.2 V 20.8 nC, 9.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4,639En existencias
Cinta cortada
S/4.20
S/1.93
S/1.71
S/1.32
Envase tipo carrete
S/1.07
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 5 A 103 mOhms, 180 mOhms 20 V 1 V, 1.2 V 9 nC, 9.4 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel
Hoja de datos
9,985En existencias
Cinta cortada
S/4.44
S/2.03
S/1.79
S/1.37
Envase tipo carrete
S/0.911
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PDFN33-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 6.6 A, 8.2 A 98 mOhms, 168 mOhms 20 V 2.5 V 8.6 nC, 9.6 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel
Hoja de datos
9,278En existencias
Cinta cortada
S/4.63
S/2.16
S/1.91
S/1.48
Envase tipo carrete
S/1.09
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PDFN33-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A, 5.7 A 17 mOhms, 33 mOhms - 20 V, 25 V 2.5 V 16 nC, 21 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
1,426En existencias
18,000En pedido
Cinta cortada
S/3.85
S/1.77
S/1.56
S/1.20
Envase tipo carrete
S/0.934
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TDFN22-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 9 A, 11.6 A 17 mOhms, 48 mOhms 10 V 450 mV, 500 mV 9.1 nC, 9.8 nC - 55 C + 150 C 6.25 W, 6.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 15A, -30V, 13A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Cinta cortada
S/5.72
S/2.67
S/2.37
S/1.85
S/1.77
Envase tipo carrete
S/1.41
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 15 A 16 mOhms, 37 mOhms 20 V, 25 V 1 V, 2.5 V 14 nC, 21.5 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel