Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs offer a robust design with enhanced electrical testing. The N-channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications and supply a 175A or 245A continuous drain current.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.36
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IAUTN15S6N025ATMA1

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726-IAUTN15S6N025ATM

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S/18.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon Technologies
1: S/43.36
3,868En existencias
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IAUTN15S6N025TATMA1

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726-IAUTN15S6N025TAT

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S/43.36

S/24.17

S/23.12

S/21.88

Envase tipo carrete

S/21.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025GATMA1
Infineon Technologies
1: S/37.13
1,545En existencias
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726-IAUTN15S6N025GAT

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S/37.13

S/23.28

S/21.49

S/21.45

Envase tipo carrete

S/20.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUTN15S6N038ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.33
3,562En existencias
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IAUTN15S6N038ATMA1

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726-IAUTN15S6N038ATM

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S/27.33

S/17.01

S/15.14

S/14.83

Envase tipo carrete

S/14.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

IAUTN15S6N038GATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.84
1,712En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038GAT

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S/34.84

S/19.03

S/17.48

S/17.36

S/16.39

Envase tipo carrete

S/16.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUTN15S6N038TATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.54
1,743En existencias
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IAUTN15S6N038TATMA1

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726-IAUTN15S6N038TAT

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S/19.42

S/17.91

S/17.83

S/16.85

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S/16.85

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: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

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150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

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