Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
8,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

8,362En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/3.25

S/2.13

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.26 mOhms

16 V

1.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPG20N04S418AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
1,474En existencias
5,000Se espera el 17/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S418AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S418AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,474En existencias

5,000Se espera el 17/06/2027

Cinta cortada

S/7.86

S/4.87

S/3.20

S/2.51

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

18 mOhms

20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.14
8,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

8,737En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/2.40

S/2.13

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.81
3,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N014TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3,347En existencias

Cinta cortada

S/25.81

S/13.70

S/12.53

S/11.64

S/11.02

Envase tipo carrete

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

20 V

3.8 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
25En existencias
15,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N031ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

25En existencias

15,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/11.21

S/5.53

S/4.98

S/4.01

Ver

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
392En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

392En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/6.46

S/3.59

S/2.65

S/2.07

Ver

Envase tipo carrete

S/1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
163En existencias
15,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC90N10S5N062ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

163En existencias

15,000Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/10.67

S/6.15

S/4.67

S/3.86

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.72
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

778En existencias

Cinta cortada

S/18.72

S/9.65

S/8.76

S/8.17

S/7.12

Envase tipo carrete

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.57
56En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

56En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/25.57

S/15.38

S/12.34

S/11.09

S/10.16

Envase tipo carrete

S/10.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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