DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

Resultados: 19
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
637En existencias
S/24.52
S/17.52
S/12.92
S/11.48
S/10.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
Hoja de datos
4,891En existencias
Cinta cortada
S/26.78
S/14.25
S/13.43
Envase tipo carrete
S/13.43
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
88En existencias
S/23.36
S/12.07
S/10.90
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Hoja de datos
14En existencias
S/43.13
S/25.53
S/24.80
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms 30 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
Hoja de datos
36En existencias
S/54.42
S/42.70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
97En existencias
S/23.90
S/12.49
S/11.37
S/9.46
S/9.15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
51En existencias
S/24.48
S/16.04
S/11.79
S/10.47
S/9.30
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
75En existencias
S/23.24
S/13.86
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
77En existencias
S/22.34
S/13.66
S/10.39
S/9.46
S/8.95
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
Hoja de datos
48En existencias
S/25.73
S/16.85
S/12.38
S/11.02
S/9.89
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
Hoja de datos
69En existencias
S/26.31
S/16.39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
46En existencias
S/32.97
S/17.91
S/16.43
S/15.26
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Hoja de datos
60En existencias
S/49.43
S/41.03
S/37.64
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
5En existencias
S/62.44
S/36.08
S/35.15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 40 mOhms 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
90Se espera el 12/10/2026
S/22.07
S/11.56
S/10.12
S/8.91
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
S/21.37
S/11.17
S/10.12
S/8.56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 150 mOhms 30 V 3.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=180W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
S/8.64
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 170 mOhms 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
S/8.72
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 150 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
S/8.64
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 DTMOSIV-H Reel