Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.79
10,187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

10,187En existencias

Cinta cortada

S/1.79

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.19

S/0.245

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

140 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
180En existencias
500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

180En existencias

500Se espera el 15/10/2026

S/10.86

S/5.37

S/4.83

S/3.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/13.82
1,194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB039N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,194En existencias

Cinta cortada

S/13.82

S/8.99

S/6.31

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1: S/8.56
477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB081N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

477En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.45

S/3.66

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/23.47
67En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

67En existencias

3,000En pedido

S/23.47

S/15.38

S/11.48

S/9.58

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.00
74En existencias
2,500Se espera el 11/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

74En existencias

2,500Se espera el 11/02/2027

S/23.00

S/13.74

S/11.09

S/9.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
1: S/1.71
881En existencias
40,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSS138WH6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138WH6433XTMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

Hoja de datos

881En existencias

40,000En pedido

Cinta cortada

S/1.71

S/0.732

S/0.638

S/0.475

Ver

Envase tipo carrete

S/0.245

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

280 mA

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

IPB64N25S3-20
Infineon Technologies
1: S/31.72
4,975En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB64N25S3-20

N.º de artículo de Mouser
726-IPB64N25S3-20

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

4,975En pedido

Cinta cortada

S/31.72

S/21.25

S/17.09

S/15.18

Envase tipo carrete

S/13.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: S/14.21
3,729En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

3,729En pedido

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/7.36

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

BSS138WH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.56
247,992En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS138WH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138WH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

Hoja de datos

247,992En pedido

Cinta cortada

S/1.56

S/1.05

S/0.677

S/0.428

S/0.378

Envase tipo carrete

S/0.288

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

280 mA

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.29
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,500En pedido

S/11.29

S/5.57

S/5.02

S/4.01

S/3.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/13.70
7,631En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

7,631En pedido

Cinta cortada

S/13.70

S/8.91

S/6.27

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB600N25N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.88
2,975En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB600N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB600N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,975En pedido

Cinta cortada

S/15.88

S/10.43

S/7.79

S/6.50

Envase tipo carrete

S/5.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

25 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB065N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/29.04
999Se espera el 5/11/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB065N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB065N15N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

999Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/29.04

S/19.46

S/15.65

S/13.90

Envase tipo carrete

S/12.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

130 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB029N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/12.49
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06N3G

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

S/12.49

S/8.06

S/5.53

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/13.08
465Se espera el 4/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

465Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/13.08

S/6.54

S/5.92

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

BSS131H6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.22
8,785En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS131H6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS131H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

8,785En pedido

Cinta cortada

S/2.22

S/1.55

S/0.981

S/0.615

S/0.537

Envase tipo carrete

S/0.471

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

240 V

110 mA

7.7 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138N H6327
Infineon Technologies
1: S/1.52
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS138N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

3En existencias

Cinta cortada

S/1.52

S/1.05

S/0.666

S/0.42

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

BSS139H6327XT
Infineon Technologies
1: S/3.66
2,886Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS139H6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS139H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,886Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/3.66

S/2.53

S/1.60

S/0.989

S/0.732

Envase tipo carrete

S/0.444

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

250 V

100 mA

7.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Depletion

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS159N H6327
Infineon Technologies
6,000: S/0.452
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS159N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS159NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

Cinta cortada

S/0.452

MouseReel Disponible

Min.: 6,000
Mult.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Depletion

AEC-Q100

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

BSS205NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.22
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS205NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS205NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Cinta cortada

S/2.22

S/1.55

S/0.981

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.471

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.5 A

40 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
110 mA
170 mA
230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
6 A
12 A
17 A
18.1 A
22.4 A
24.8 A
25 A
34 A
35 A
45 A
50 A
64 A
69 A

800 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
2.3 nC
9 nC
14 nC
18 nC
29 nC
32 nC
32.6 nC
33 nC
36 nC
39 nC
44 nC
47.2 nC
51 nC
56 nC
60 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30.4 W
32 W
33 W
36 W
58 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W
136 W
150 W
158 W
167 W