Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
IRFB7546PBF
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75 A
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3.7 V
58 nC
- 55 C
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