GaN FETs – Mouser Perú

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CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

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N.° de pieza

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.18
4,511En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R140D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R140D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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4,511En existencias

Cinta cortada

S/15.18

S/9.96

S/6.97

S/5.72

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.68
4,825En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R200D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R200D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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4,825En existencias

Cinta cortada

S/11.68

S/7.16

S/5.10

S/4.24

Ver

Envase tipo carrete

S/3.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
4,726En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R270D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R270D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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4,726En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/5.96

S/4.20

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.85
1,183En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R045D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R045D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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1,183En existencias

Cinta cortada

S/35.85

S/23.67

S/18.84

S/16.50

S/14.48

Envase tipo carrete

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.37
1,495En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R110D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R110D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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1,495En existencias

Cinta cortada

S/18.37

S/11.60

S/8.60

S/7.40

Envase tipo carrete

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/52.24
878En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R025D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R025D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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878En existencias

Cinta cortada

S/52.24

S/38.65

S/32.23

S/27.95

Envase tipo carrete

S/23.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/40.95
482En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R035D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R035D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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482En existencias

Cinta cortada

S/40.95

S/27.68

S/22.73

S/18.65

Envase tipo carrete

S/18.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/36.24
1,368En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R045D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R045D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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1,368En existencias

Cinta cortada

S/36.24

S/24.09

S/17.59

S/16.66

Envase tipo carrete

S/15.34

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.41
613En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R055D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R055D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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613En existencias

Cinta cortada

S/31.41

S/20.16

S/16.00

S/13.23

Envase tipo carrete

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.87
10En existencias
3,600Se espera el 16/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R055D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R055D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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10En existencias

3,600Se espera el 16/12/2026

Cinta cortada

S/27.87

S/18.76

S/14.56

S/13.27

S/11.25

Envase tipo carrete

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/53.48
5,493En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R025D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R025D2AUMA

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Infineon Technologies

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5,493En pedido

Cinta cortada

S/53.48

S/38.57

S/30.36

S/27.71

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Envase tipo carrete

S/23.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/41.65
3,540En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R035D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R035D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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3,540En pedido

Cinta cortada

S/41.65

S/28.10

S/21.95

S/17.94

Envase tipo carrete

S/17.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

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