GaN FETs – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Tecnología
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: S/15.18 4,511En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLR65R140D2XUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLR65R140D2XUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4,511En existencias	Cinta cortada S/15.18 S/9.96 S/6.97 S/5.72 S/5.49 Envase tipo carrete S/4.63	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: S/11.17 4,815En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLR65R200D2XUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLR65R200D2XUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4,815En existencias	Cinta cortada S/11.17 S/7.24 S/4.98 S/4.01 Envase tipo carrete S/3.13 Ver S/3.74 S/3.67 S/3.06	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: S/9.73 4,699En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLR65R270D2XUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLR65R270D2XUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4,699En existencias	Cinta cortada S/9.73 S/6.27 S/4.28 S/3.41 Envase tipo carrete S/2.65 Ver S/3.10 S/3.06 S/2.53	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: S/42.86 1,661En existencias 1,800Se espera el 28/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R035D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R035D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	1,661En existencias 1,800Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada S/42.86 S/24.52 S/23.28 S/21.95 S/19.00 Envase tipo carrete S/18.84	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: S/33.36 977En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R045D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R045D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	977En existencias	Cinta cortada S/33.36 S/18.14 S/16.66 S/16.39 S/14.29 Envase tipo carrete S/13.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.37 1,262En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R110D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R110D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	1,262En existencias	Cinta cortada S/18.37 S/12.14 S/8.60 S/7.40 Envase tipo carrete S/5.99	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: S/51.89 602En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R025D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R025D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	602En existencias	Cinta cortada S/51.89 S/34.80 S/32.23 S/27.95 Envase tipo carrete S/23.43	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: S/42.93 467En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R035D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R035D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	467En existencias	Cinta cortada S/42.93 S/23.90 S/22.81 S/18.65 Envase tipo carrete S/18.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: S/34.37 2,068En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R045D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R045D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	2,068En existencias	Cinta cortada S/34.37 S/18.72 S/16.78 Envase tipo carrete S/14.83 S/13.90	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: S/28.69 583En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R055D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R055D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	583En existencias	Cinta cortada S/28.69 S/15.38 S/14.09 S/11.33 Envase tipo carrete S/10.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: S/49.51 9,060En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R025D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R025D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	9,060En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IGLT65R025D2AUMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,860 Se espera el 8/10/2026 3,600 Se espera el 22/10/2026 3,600 Se espera el 20/05/2027 Plazo de entrega de fábrica: 18 Semanas	Cinta cortada S/49.51 S/28.06 S/27.64 S/27.36 S/22.58 Envase tipo carrete S/22.54	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: S/27.99 3,596En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R055D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R055D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	3,596En pedido	Cinta cortada S/27.99 S/16.58 S/14.29 S/13.12 S/11.25 Envase tipo carrete S/11.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte