Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel NVMYS5D3N04CTWG onsemi 1: S/ 7.67 2,947En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMYS5D3N04CTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS5D3N04CTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	2,947En existencias	Cinta cortada S/ 7.67 S/ 4.83 S/ 3.16 S/ 2.51 Envase tipo carrete S/ 2.03 Ver S/ 2.23 S/ 1.96 S/ 1.91	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	40 V	71 A	5.3 mOhms	20 V	3.5 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel NVMYS011N04CTWG onsemi 1: S/ 7.28 2,989En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMYS011N04CTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS011N04CTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	2,989En existencias	Cinta cortada S/ 7.28 S/ 4.52 S/ 2.95 S/ 2.32 Envase tipo carrete S/ 1.80 Ver S/ 2.11 S/ 1.60 S/ 1.54 S/ 1.51	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	40 V	35 A	12 mOhms	20 V	3.5 V	7.9 nC	- 55 C	+ 175 C	28 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel NVMYS010N04CLTWG onsemi 1: S/ 7.24 2,002En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMYS010N04CLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS010N04CLTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	2,002En existencias	Cinta cortada S/ 7.24 S/ 4.48 S/ 2.95 S/ 2.32 Envase tipo carrete S/ 1.80 Ver S/ 1.99 S/ 1.60 S/ 1.54 S/ 1.49	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	40 V	38 A	10.3 mOhms	20 V	2 V	7.3 nC	- 55 C	+ 175 C	28 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel NVMYS025N06CLTWG onsemi 1: S/ 6.93 2,744En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMYS025N06CLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS025N06CLTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	2,744En existencias	Cinta cortada S/ 6.93 S/ 4.28 S/ 2.83 S/ 2.22 Envase tipo carrete S/ 1.72 Ver S/ 1.90 S/ 1.53 S/ 1.48 S/ 1.43	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	27.5 mOhms	20 V	2 V	5.8 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK NVMYS6D2N06CLTWG onsemi 1: S/ 8.72 144En existencias 6,000Se espera el 4/12/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMYS6D2N06CLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS6D2N06CLTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	144En existencias 6,000Se espera el 4/12/2026	Cinta cortada S/ 8.72 S/ 5.49 S/ 3.61 S/ 2.86 S/ 2.55 Envase tipo carrete S/ 2.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	60 V	71 A	6.1 mOhms	20 V	2 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	61 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel NVMYS021N06CLTWG onsemi 1: S/ 7.36 13,565En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMYS021N06CLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS021N06CLTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	13,565En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMYS021N06CLTWG Existencias: 0 En pedido: 1,565 Se espera el 30/12/2026 6,000 Se espera el 1/01/2027 6,000 Se espera el 14/05/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 7.36 S/ 4.55 S/ 3.00 S/ 2.36 S/ 2.02 Envase tipo carrete S/ 1.83	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	60 V	27 A	21 mOhms	20 V	2 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	28 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel NVMYS7D3N04CLTWG onsemi 1: S/ 8.02 8,423En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMYS7D3N04CLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS7D3N04CLTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	8,423En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMYS7D3N04CLTWG Existencias: 0 En pedido: 5,423 Se espera el 1/01/2027 3,000 Se espera el 15/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 8.02 S/ 4.94 S/ 3.26 S/ 2.56 S/ 2.19 Envase tipo carrete S/ 1.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	40 V	52 A	7.3 mOhms	20 V	2 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel NVMYS8D0N04CTWG onsemi 1: S/ 6.77 15,000Se espera el 27/11/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMYS8D0N04CTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS8D0N04CTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	15,000Se espera el 27/11/2026	Cinta cortada S/ 6.77 S/ 4.24 S/ 2.81 S/ 2.23 S/ 1.98 Envase tipo carrete S/ 1.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	40 V	49 A	8.1 mOhms	20 V	3.5 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel NVMYS3D3N06CLTWG onsemi 1: S/ 10.63 3,000Se espera el 1/01/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMYS3D3N06CLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS3D3N06CLTWG NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	3,000Se espera el 1/01/2027	Cinta cortada S/ 10.63 S/ 6.81 S/ 4.63 S/ 3.93 S/ 3.48 Envase tipo carrete S/ 3.12	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	60 V	133 A	3 mOhms	20 V	2 V	40.7 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel NVMYS014N06CLTWG onsemi 1: S/ 7.90 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante NVMYS014N06CLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NVMYS014N06CLTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi lfpak4 automotive power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada S/ 7.90 S/ 4.87 S/ 3.22 S/ 2.53 S/ 2.16 Envase tipo carrete S/ 1.96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	60 V	36 A	15 mOhms	20 V	2 V	9.7 nC	- 55 C	+ 175 C	37 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel

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