RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs enable high current handling capability with reduced package resistance. The HSOP-8 and HSMT-8 packaged components provide simultaneous low ON-resistance and gate charge capacitance, minimizing energy loss. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, these MOSFETs are ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.

Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A 2,462En existencias
Cinta cortada
S/12.26
S/6.11
S/5.49
S/4.44
S/4.28
Envase tipo carrete
S/4.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.7 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH 5,738En existencias
Cinta cortada
S/10.90
S/5.41
S/4.83
S/3.88
S/3.64
Envase tipo carrete
S/3.44
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 60 mOhms 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN 4,000En existencias
Cinta cortada
S/12.49
S/6.23
S/5.61
S/4.55
S/4.40
Envase tipo carrete
S/4.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 10.6 mOhms 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN 4,873En existencias
Cinta cortada
S/12.73
S/6.34
S/5.72
S/4.67
S/4.52
Envase tipo carrete
S/4.24
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 35 A 41 mOhms 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN 4,780En existencias
Cinta cortada
S/10.32
S/5.06
S/4.55
S/3.64
S/3.50
Envase tipo carrete
S/3.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.4 mOhms 20 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET 4,914En existencias
Cinta cortada
S/10.70
S/5.29
S/4.75
S/3.80
S/3.68
Envase tipo carrete
S/3.30
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET 3,866En existencias
Cinta cortada
S/17.09
S/11.25
S/7.79
S/6.73
S/6.46
Envase tipo carrete
S/6.27
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 21.8 mOhms 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A 2,903En existencias
Cinta cortada
S/18.22
S/9.38
S/8.52
S/7.32
Envase tipo carrete
S/6.89
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.7 mOhms 20 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A 7,127En existencias
Cinta cortada
S/18.14
S/9.30
S/8.45
S/7.24
S/7.12
Envase tipo carrete
S/6.85
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 210 A 1.34 mOhms 20 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET 2,500En existencias
Cinta cortada
S/12.65
S/6.31
S/5.68
S/4.59
S/4.52
Envase tipo carrete
S/4.16
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 225 A 1.2 mOhms 20 V 4 V 52 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 150V 85A 2,075En existencias
Cinta cortada
S/13.66
S/6.85
S/6.19
S/5.02
S/4.98
Envase tipo carrete
S/4.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 85 A 13.9 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 270A HSOP8, Power MOSFET 2,448En existencias
Cinta cortada
S/14.25
S/7.16
S/6.50
S/5.29
S/5.25
Envase tipo carrete
S/4.90
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 270 A 1.1 mOhms 20 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 120A 2,500En existencias
Cinta cortada
S/14.71
S/9.61
S/7.01
S/5.88
S/5.45
Envase tipo carrete
S/5.22
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 210 A 1.38 mOhms 20 V 4 V - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 150A 2,440En existencias
Cinta cortada
S/14.71
S/7.43
S/6.73
S/5.49
Envase tipo carrete
S/5.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.7 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A 3,011En existencias
Cinta cortada
S/11.64
S/5.76
S/5.22
S/4.20
S/4.09
Envase tipo carrete
S/3.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 65 A 7.1 mOhms 20 V 2.5 V 18.8 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A 1,675En existencias
3,000Se espera el 16/03/2027
Cinta cortada
S/10.90
S/6.19
S/4.79
S/4.05
S/3.74
Envase tipo carrete
S/3.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 3.6 mOhms 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A 838En existencias
Cinta cortada
S/16.70
S/8.52
S/7.75
S/6.50
Envase tipo carrete
S/6.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.9 mOhms 20 V 4 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
2,500Se espera el 2/10/2026
Cinta cortada
S/15.65
S/8.10
S/7.32
S/5.99
S/5.84
Envase tipo carrete
S/5.33
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.3 mOhms 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 140A, HSOP8, Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Envase tipo carrete
S/3.54
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 140 A 2.9 mOhms 20 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel