MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación

Los MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia como fuentes de alimentación CA-CC de entrada de 400 V AC. Otras aplicaciones incluyen inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores CC-CC bidireccionales para fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Estos MOSFET contribuyen a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de energía. Esto se debe a la tecnología SiC que permite que los dispositivos ofrezcan voltajes más altos, conmutación más rápida y menor resistencia en conducción. El diseño de chips de tercera generación de Toshiba ofrece confiabilidad mejorada, además de la capacitancia de entrada (C_ISS) de 4850 pF (típico), una baja carga de entrada de puerta (Q_g) de 128 NC (típico) y una resistencia en conducción drenaje a fuente (R_{DS(On)) de solo 15 mΩ o 30 mΩ (típico).}

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z65C,S1F Toshiba 1: S/67.03 132En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW015Z65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW015Z65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	132En existencias	S/67.03 S/55.94 S/38.96 S/38.57	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC		+ 175 C	342 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW031V65C,LQ Toshiba 1: S/45.27 2,500En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TW031V65C,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TW031V65CLQ Nuevo producto	Toshiba	MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	2,500En existencias	Cinta cortada S/45.27 S/33.55 Envase tipo carrete S/33.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	53 A	45 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW054V65C,LQ Toshiba 1: S/35.38 2,480En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TW054V65C,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TW054V65CLQ Nuevo producto	Toshiba	MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	2,480En existencias	Cinta cortada S/35.38 S/24.29 Envase tipo carrete S/24.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	36 A	81 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW092V65C,LQ Toshiba 1: S/29.39 2,493En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TW092V65C,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TW092V65CLQ Nuevo producto	Toshiba	MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	2,493En existencias	Cinta cortada S/29.39 S/19.85 S/18.96 Envase tipo carrete S/18.96	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	27 A	136 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW123V65C,LQ Toshiba 1: S/23.32 2,500En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TW123V65C,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TW123V65CLQ Nuevo producto	Toshiba	MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	2,500En existencias	Cinta cortada S/23.32 S/13.94 Envase tipo carrete S/13.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	18 A	183 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm TW030Z120C,S1F Toshiba 1: S/47.06 27En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW030Z120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW030Z120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	27En existencias	S/47.06 S/35.30	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	60 A	30 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC		+ 175 C	249 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm TW060Z120C,S1F Toshiba 1: S/40.95 31En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW060Z120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW060Z120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	31En existencias	S/40.95 S/30.95 S/29.43	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	60 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm TW140Z120C,S1F Toshiba 1: S/35.85 61En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW140Z120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW140Z120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	61En existencias	S/35.85 S/24.52	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	20 A	140 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC		+ 175 C	107 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm TW045Z120C,S1F Toshiba 1: S/44.02 14En existencias 30Se espera el 4/12/2026	N.º de artículo del Fabricante TW045Z120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW045Z120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	14En existencias 30Se espera el 4/12/2026	S/44.02 S/32.39	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC		+ 175 C	182 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N120C,S1F Toshiba 1: S/126.00 28En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW015N120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW015N120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	28En existencias	S/126.00 S/91.40 S/70.77 S/69.48 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	100 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC	- 55 C	+ 175 C	431 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N65C,S1F Toshiba 1: S/67.03 41En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW015N65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW015N65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	41En existencias	S/67.03 S/55.94 S/38.57	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	100 A	21 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC	- 55 C	+ 175 C	342 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z120C,S1F Toshiba 1: S/77.34 12En existencias 60Se espera el 16/10/2026	N.º de artículo del Fabricante TW015Z120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW015Z120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	12En existencias 60Se espera el 16/10/2026	S/77.34 S/66.29	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC		+ 175 C	431 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm TW027N65C,S1F Toshiba 1: S/40.21 2En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW027N65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW027N65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	2En existencias	S/40.21 S/31.49 S/27.56	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	37 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm TW030N120C,S1F Toshiba 1: S/49.20 67En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW030N120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW030N120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	67En existencias	S/49.20 S/28.14 S/26.08 S/24.37	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV		40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	249 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm TW045N120C,S1F Toshiba 1: S/52.86 92En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW045N120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW045N120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	92En existencias	S/52.86 S/32.39	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm TW048Z65C,S1F Toshiba 1: S/31.26 32En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW048Z65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW048Z65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	32En existencias	S/31.26 S/20.59	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	40 A	48 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm TW060N120C,S1F Toshiba 1: S/40.95 189En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW060N120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW060N120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	189En existencias	S/40.95 S/32.15 S/29.43	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm TW083N65C,S1F Toshiba 1: S/30.05 15En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW083N65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW083N65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	15En existencias	S/30.05 S/17.59 S/14.21 S/13.04 S/12.38	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	145 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm TW083Z65C,S1F Toshiba 1: S/28.42 25En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW083Z65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW083Z65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	25En existencias	S/28.42 S/18.14	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	83 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm TW107N65C,S1F Toshiba 1: S/29.19 19En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW107N65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW107N65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	19En existencias	S/29.19 S/15.22 S/14.52	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	113 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm TW107Z65C,S1F Toshiba 1: S/24.06 40En existencias	N.º de artículo del Fabricante TW107Z65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW107Z65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	40En existencias	S/24.06 S/16.35 S/14.52	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	107 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm TW140N120C,S1F Toshiba 1: S/35.62 210Se espera el 15/01/2027	N.º de artículo del Fabricante TW140N120C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW140N120CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	210Se espera el 15/01/2027	S/35.62 S/19.07 S/17.56	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm TW027Z65C,S1F Toshiba 1: S/40.13 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TW027Z65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW027Z65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	S/40.13 S/28.38 S/23.63 S/21.06 S/19.70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	58 A	27 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm TW048N65C,S1F Toshiba 1: S/31.30 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TW048N65C,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TW048N65CS1F	Toshiba	MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm Obtenga más información sobre Toshiba 3 gen sic mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	S/31.30 S/22.03 S/17.83 S/15.84 S/14.01	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	40 A	65 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement

MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación

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