MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación

Los MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia como fuentes de alimentación CA-CC de entrada de 400 V AC. Otras aplicaciones incluyen inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores CC-CC bidireccionales para fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Estos MOSFET contribuyen a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de energía. Esto se debe a la tecnología SiC que permite que los dispositivos ofrezcan voltajes más altos, conmutación más rápida y menor resistencia en conducción. El diseño de chips de tercera generación de Toshiba ofrece confiabilidad mejorada, además de la capacitancia de entrada (C_ISS) de 4850 pF (típico), una baja carga de entrada de puerta (Q_g) de 128 NC (típico) y una resistencia en conducción drenaje a fuente (R_{DS(On)) de solo 15 mΩ o 30 mΩ (típico).}

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW031V65C,LQ
Toshiba
1: S/60.18
2,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TW031V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW031V65CLQ

Nuevo producto

Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/60.18

S/42.31

S/35.46

S/31.41

Envase tipo carrete

S/30.05

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

45 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW054V65C,LQ
Toshiba
1: S/46.94
2,480En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TW054V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW054V65CLQ

Nuevo producto

Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Hoja de datos

2,480En existencias

Cinta cortada

S/46.94

S/32.54

S/25.65

S/22.42

Envase tipo carrete

S/20.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

81 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW092V65C,LQ
Toshiba
1: S/38.93
2,493En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TW092V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW092V65CLQ

Nuevo producto

Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Hoja de datos

2,493En existencias

Cinta cortada

S/38.93

S/26.70

S/20.09

S/17.48

Envase tipo carrete

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

136 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW123V65C,LQ
Toshiba
1: S/30.83
2,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TW123V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW123V65CLQ

Nuevo producto

Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/30.83

S/20.90

S/15.26

S/14.75

Ver

Envase tipo carrete

S/12.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

183 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z65C,S1F
Toshiba
1: S/89.57
142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW015Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW015Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

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Hoja de datos

142En existencias

S/89.57

S/56.67

S/56.64

S/48.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

+ 175 C

342 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

TW030Z120C,S1F
Toshiba
1: S/62.63
23En existencias
30En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TW030Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW030Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

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Hoja de datos

23En existencias

30En pedido

S/62.63

S/38.38

S/33.05

S/30.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

30 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z120C,S1F
Toshiba
1: S/103.54
20En existencias
60Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TW015Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW015Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

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Hoja de datos

20En existencias

60Se espera el 16/10/2026

S/103.54

S/66.33

S/58.15

S/57.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

+ 175 C

431 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

TW045Z120C,S1F
Toshiba
1: S/58.54
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW045Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW045Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

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Hoja de datos

40En existencias

S/58.54

S/35.69

S/31.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

+ 175 C

182 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

TW048Z65C,S1F
Toshiba
1: S/41.42
52En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW048Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW048Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

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Hoja de datos

52En existencias

S/41.42

S/24.52

S/20.75

S/20.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

48 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

TW060Z120C,S1F
Toshiba
1: S/54.42
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW060Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW060Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

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Hoja de datos

36En existencias

S/54.42

S/39.55

S/27.64

S/25.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

60 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

TW107Z65C,S1F
Toshiba
1: S/31.76
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW107Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW107Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

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Hoja de datos

40En existencias

S/31.76

S/19.15

S/15.41

S/14.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

107 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

TW140Z120C,S1F
Toshiba
1: S/47.29
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW140Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW140Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

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Hoja de datos

61En existencias

S/47.29

S/28.30

S/23.24

S/21.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

140 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

+ 175 C

107 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

TW107N65C,S1F
Toshiba
1: S/31.76
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW107N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW107N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

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Hoja de datos

30En existencias

S/31.76

S/18.41

S/15.41

S/14.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

113 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N120C,S1F
Toshiba
1: S/103.54
31En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW015N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW015N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

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Hoja de datos

31En existencias

S/103.54

S/66.33

S/66.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

431 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N65C,S1F
Toshiba
1: S/89.57
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW015N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW015N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

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Hoja de datos

49En existencias

S/89.57

S/56.67

S/55.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

21 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

342 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

TW027N65C,S1F
Toshiba
1: S/54.03
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW027N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW027N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

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Hoja de datos

2En existencias

S/54.03

S/41.14

S/34.29

S/30.56

S/28.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

37 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

156 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

TW030N120C,S1F
Toshiba
1: S/65.98
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW030N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW030N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

67En existencias

S/65.98

S/48.11

S/34.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

TW045N120C,S1F
Toshiba
1: S/60.49
111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW045N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW045N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

111En existencias

S/60.49

S/42.82

S/36.78

S/31.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

TW060N120C,S1F
Toshiba
1: S/54.42
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW060N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW060N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

201En existencias

S/54.42

S/32.97

S/32.93

S/29.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

TW083N65C,S1F
Toshiba
1: S/38.38
15En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW083N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW083N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

15En existencias

S/38.38

S/23.04

S/17.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

145 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

TW083Z65C,S1F
Toshiba
1: S/37.60
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW083Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW083Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

25En existencias

S/37.60

S/22.07

S/18.65

S/17.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

83 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

TW140N120C,S1F
Toshiba
1: S/47.29
176En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TW140N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW140N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

176En pedido

S/47.29

S/28.30

S/24.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

TW027Z65C,S1F
Toshiba
1: S/53.72
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW027Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW027Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/53.72

S/32.50

S/27.79

S/24.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

27 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

TW048N65C,S1F
Toshiba
1: S/41.42
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TW048N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW048N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

S/41.42

S/24.52

S/18.96

S/18.02

S/17.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

65 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación

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