Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NVMFS5C604N Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5C604N Single N-Channel Power MOSFET features a 288A continuous drain current, 1.2mΩ at 10V R_DS(ON), and 60V drain-to-source voltage. The NVMFS5C604N is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
1: S/41.49
2,555En existencias
4,500Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

2,555En existencias

4,500Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/41.49

S/29.31

S/24.44

S/21.76

S/20.36

Envase tipo carrete

S/20.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: S/28.22
5,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

5,780En existencias

Cinta cortada

S/28.22

S/18.88

S/15.18

Envase tipo carrete

S/15.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NT1G
onsemi
1: S/40.33
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

29En existencias

Cinta cortada

S/40.33

S/28.53

S/23.78

S/21.18

S/19.77

Envase tipo carrete

S/19.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/30.32
4,006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

4,006En existencias

Cinta cortada

S/30.32

S/20.28

S/16.31

Envase tipo carrete

S/16.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
1: S/30.13
1,524En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVM604NLWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

1,524En existencias

Cinta cortada

S/30.13

S/20.16

S/16.19

S/14.40

S/12.88

Envase tipo carrete

S/12.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFET1G
onsemi
1: S/28.18
1,500Se espera el 14/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C604NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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1,500Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/28.18

S/18.84

S/15.14

Envase tipo carrete

S/15.14

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: S/35.73
1,137Se espera el 3/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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1,137Se espera el 3/08/2026

Cinta cortada

S/35.73

S/25.15

S/20.36

S/18.10

S/16.04

Envase tipo carrete

S/16.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5,000: S/11.64
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.64

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

NVMFS5C604N Single N-Channel Power MOSFET

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